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E2L0044-17-Y1
半导体
MSM548512L
半导体
524,288-Word
8位高速PSRAM
这个版本： 1998年1月
MSM548512L
上一版本： 1996年12月
描述
该MSM548512L采用OKI的CMOS硅栅工艺技术制造。这个过程中，
加上单transister存储器的存储单元，允许最大的电路密度，最小
芯片的尺寸和高速。
MSM548512L具有自刷新模式时，除了地址刷新模式和自动刷新
模式。在自刷新模式中，内部刷新定时器和地址计数器刷新
自动动态存储单元。该系列实现了低功耗使用时，
待机模式下具有自我更新。
该MSM548512L还设有一个静态RAM一样写入功能将数据写入到
在上升沿存储单元
WE 。
特点
大容量
快速存取时间
低功耗
刷新免费
逻辑兼容
单电源供电
刷新
兼容包
封装选项：
32引脚600密耳的塑料DIP
32引脚525密耳的塑料SOP
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4兆位（ 524,288字
8比特）
80 ns（最大值） 。
200
A
最大。 （待机与自刷新）
自刷新
SRAM
WE
脚，没有地址复用
5 V
±10%
2048周期/ 32毫秒自动刷新地址
SRAM标准套餐
(DIP32-P-600-2.54)
（产品： MSM548512L - xxRS ）
（ SOP32 -P- 525-1.27 -K）个（产品： MSM548512L - xxGS -K）个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM548512L-80RS
MSM548512L-10RS
MSM548512L-12RS
MSM548512L-80GS-K
MSM548512L-10GS-K
MSM548512L-12GS-K
访问时间（最大值）。
80纳秒
100纳秒
120纳秒
80纳秒
100纳秒
120纳秒
525万32针
塑料SOP
600万32针
塑料DIP
包
1/12
