DF3A6.8FV
为保护儿童不受ESD外延平面型二极管东芝
DF3A6.8FV
产品仅用于为防止静电防护
放电（ESD ） 。
0.22±0.05
1.2±0.05
0.8±0.05
0.32±0.05
3
0.13±0.05
单位：mm
1.2±0.05
0.8±0.05
0.4
0.4
0.5±0.05
*
本产品是用于防止静电放电（ ESD ）
只，不适合用于任何其它用途，包括但不
的限制，稳压二极管的应用。
因为两个设备被安装在一个超紧凑的封装，它是
可以允许减少部件的数量和安装
成本。
1
2
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
功耗
结温
存储温度范围
符号
P*
T
j
T
英镑
等级
150
150
55~150
单位
mW
°C
°C
VESM
1.CATHODE1
2.CATHODE2
3.ANODE
JEDEC
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
JEITA
温度等）可能会导致此产品在减少
东芝
1-1Q1B
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
重量0.0015克（典型值）。
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ），并
个别可靠性数据（即可靠性试验报告和估计故障率等）。
*:
安装在FR4电路板（25.4毫米
×
25.4 mm
×
1.6万吨）
0.5mm
0.45mm
0.45mm
0.4mm
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
齐纳电压
动态阻抗
反向电流
终端电容
（在阴极和阳极）
符号
V
Z
Z
Z
I
R
C
T
I
Z
=
5毫安
I
Z
=
5毫安
V
R
=
5 V
V
R
= 0中，f = 1MHz的
测试条件
民
6.4
―
典型值。
6.8
45
最大
7.2
25
0.5
―
单位
V
Ω
μA
pF
1
2007-11-01
