DF3A5.6LFV
为保护儿童不受ESD外延平面型二极管东芝
DF3A5.6LFV
产品仅用于为防止静电防护
放电（ESD ） 。
0.22±0.05
1.2±0.05
0.8±0.05
0.32±0.05
0.13±0.05
单位：mm
*
本产品是用于防止静电放电（ ESD ）
只，不适合用于任何其它用途，包括但不
的限制，稳压二极管的应用。
1.2±0.05
0.8±0.05
两款器件在一个超小型封装的安装使
减少零件的数量和安装成本。
低电容端子：C
T
= 8.0 pF的（典型值）。
0.4
0.4
1
2
3
特征
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
T
j
T
英镑
等级
150*
150
55~150
单位
mW
°C
°C
0.5±0.05
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
VESM
1. Cathode1
2. Cathode2
3.阳极
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
JEDEC
温度/电流/电压和在显著变化
JEITA
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
东芝
1-1Q1B
工作温度/电流/电压等）内的
重量： 1.5毫克（典型值）。
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ），并
个别可靠性数据（即可靠性试验报告和估计故障率等）。
*:
安装在FR4电路板（25.4毫米
×
25.4 mm
×
1.6万吨）
0.5 mm
0.45 mm
0.45 mm
0.4 mm
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
齐纳电压
动态阻抗
反向电流
终端电容
（在阴极和阳极）
符号
V
Z
Z
Z
I
R
C
T
I
Z
=
5毫安
I
Z
=
5毫安
V
R
=
3.5 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
测试条件
民
5.3
―
典型值。
5.6
3
8
最大
6.0
1.0
―
单位
V
Ω
μA
pF
1
2007-11-01
