MUN5211系列
NPN硅偏置电阻晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
R1
R2
3
1
2
SOT-323(SC-70)
最大额定值
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
VCEO
VCBO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（ 1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（ 1 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
RJ-A
TJ ， TSTG
最大
202
1.6
618
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
C
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0
l
1.0英寸的垫
l
器件标识和电阻值
设备
MUN5211
MUN5212
MUN5213
MUN5214
MUN5215
MUN5216
MUN5230
记号
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
MUN5231
MUN5232
MUN5233
MUN5234
MUN5235
MUN5236
MUN5237
记号
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
1.0
我们ITR 0：N
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Rev.A的30日-12月05
