位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1366页 > MX26LV400TXBC-55 > MX26LV400TXBC-55 PDF资料 > MX26LV400TXBC-55 PDF资料1第1页
MX26LV400
旺宏N位
TM
存储器系列
4M- BIT [ 512Kx8 / 256Kx16 ] CMOS单电压
3V只引导扇区高速eLiteFlash
TM
内存
特点
扩展单 - 电源电压范围3.0V至3.6V
524,288 ×8 / 262,144 ×16切换
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间： 55 / 70ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 为30uA典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节/字编程（典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K - Bytex1 ，
8K - Bytex2 ， 32K - Bytex1和64K字节X7 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除验证能力。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除操作完成。
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
2000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
包装类型：
- 48引脚TSOP
- 48球CSP
符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年的数据保存
概述
该MX26LV400是4兆比特的高速闪存
组织为512K字节的8位或16的256K字
位。旺宏的高速闪存，提供最
具有成本效益和可靠的读/写非易失性随机
存取存储器。该MX26LV400封装采用48引脚
TSOP和48球CSP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
该标准MX26LV400提供存取时间快
55ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突，
MX26LV400有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和输出
启用（ OE ＃ ）控制。
旺宏的高速闪存EPROM增加
功能与电路中的电擦除和编程
明。该MX26LV400使用命令寄存器
管理此功能。命令寄存器允许
100％的TTL电平控制输入和固定电源支持
擦除和编程时帘布层的水平，并保
泰宁最大EPROM的兼容性。
MXIC高速闪存技术能可靠地保存
存储器的内容即使在2000擦除和编程
周期。该MXIC单元的设计优化了擦除
和编程机制。此外， combi-
先进的隧道氧化处理，低IN-国家
ternal电场的擦除和编程操作
生产可靠的自行车。该MX26LV400使用
3.0V 3.6V的VCC电源进行高可靠性
擦除和自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM1094
REV 。 1.0 ，十一月08，2004
1
