位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1870页 > MX26L6419TC-10 > MX26L6419TC-10 PDF资料 > MX26L6419TC-10 PDF资料1第27页

MX26L6419
图6.字编程流程图
开始
写40H ,
地址
写数据
和地址
读
状态寄存器
SR.7=
0
1
如果需要全状态检查
Word程序完成
公共汽车
命令
评论
手术
写
格局
Data=40H
Word程序地址=位置是
程序
写
字
数据=数据被
节目
程序
地址=位置是
程序
读
状态寄存器的数据
(注1 )
待机
检查SR.7
1 = WSM就绪
0 = WSM忙
1.切换OE (从低到高到低)更新状态
注册。这可以代替发出READ来完成
状态寄存器命令。重复随后的亲
编程操作。
SR全状态检查可以在每个项目后进行
操作时,或编程的序列后操作
系统蒸发散。
最后一个程序运行后写入FFH的地方
设备读阵列模式。
公共汽车
命令
手术
待机
1
全状态检查程序
评论
读状态寄存器
数据(见上文)
SR.3=
VPP范围错误
0
SR.1=
1
设备保护错误
0
SR.4=
1
编程错误
0
Word程序成功
检查SR.3
1 =编程电压
错误检测
待机
检查SR.1
1 =器件保护检测
RP = VIH ,块锁定位是
仅设置所需
系统
待机
检查SR.4
1 =编程错误
切换OE (从低到高到低)更新状态
注册。这可以代替发出READ来完成
状态寄存器命令。重复随后的亲
编程操作。
SR.4, SR.3和SR.1仅由清除清除
状态寄存器命令的情况下多次某一地址
阳离子编程全状态检查之前。
如果检测到错误,则清除状态寄存器之前
试图重试或其他错误恢复。
P / N : PM0946
REV 。 0.3 ,十月08 , 2003
27