DAC7565
SBAS412A - 2008年2月 - 修订2008年3月
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例3 ：掉电DAC A和DAC B为1kΩ的和掉电DAC C和DAC D钮100kΩ的
同时
第一：写掉电命令数据的缓冲液A： DAC A至1kΩ的。
DB23
0
DB22
0
DB21
(LD1)
0
DB20
(LD0)
0
DB19
0
DB18
DB17
（ DAC SEL 1 ） （ DAC SEL 0 ）
0
0
DB16
(PD0)
1
DB15
0
DB14
1
DB13
X
DB12-DB4
X
DB3-DB0
X
第二：写掉电命令数据缓冲区B： DAC B为1kΩ的。
DB23
0
DB22
0
DB21
(LD1)
0
DB20
(LD0)
0
DB19
0
DB18
DB17
（ DAC SEL 1 ） （ DAC SEL 0 ）
0
1
DB16
(PD0)
1
DB15
0
DB14
1
DB13
X
DB12-DB4
X
DB3-DB0
X
第三：写掉电命令数据缓冲区C： DAC C至100kΩ的。
DB23
0
DB22
0
DB21
(LD1)
0
DB20
(LD0)
0
DB19
0
DB18
DB17
（ DAC SEL 1 ） （ DAC SEL 0 ）
1
0
DB16
(PD0)
1
DB15
1
DB14
0
DB13
X
DB12-DB4
X
DB3-DB0
X
第四：写掉电命令数据缓冲区D： DAC D钮100kΩ的同时更新所有DAC 。
DB23
0
DB22
0
DB21
(LD1)
1
DB20
(LD0)
0
DB19
0
DB18
DB17
（ DAC SEL 1 ） （ DAC SEL 0 ）
1
1
DB16
(PD0)
1
DB15
1
DB14
0
DB13
X
DB12-DB4
X
DB3-DB0
X
该DAC A， B DAC ， DAC C和DAC D模拟输出，同时功耗降低到每个相应的规定
模式的四次写入序列结束后。
例4 ：掉电DAC A通过DAC D钮高阻按顺序
第一：写掉电命令数据缓冲区A和加载DAC A ： DAC A输出=高阻：
DB23
0
DB22
0
DB21
(LD1)
0
DB20
(LD0)
1
DB19
0
DB18
DB17
（ DAC SEL 1 ） （ DAC SEL 0 ）
0
0
DB16
(PD0)
1
DB15
1
DB14
1
DB13
X
DB12-DB4
X
DB3-DB0
X
第二：写掉电命令数据缓冲区B和负载DAC B： DAC B输出=高阻：
DB23
0
DB22
0
DB21
(LD1)
0
DB20
(LD0)
1
DB19
0
DB18
DB17
（ DAC SEL 1 ） （ DAC SEL 0 ）
0
1
DB16
(PD0)
1
DB15
1
DB14
1
DB13
X
DB12-DB4
X
DB3-DB0
X
第三：写掉电命令数据缓冲区C和负载DAC C： DAC C的输出=高阻：
DB23
0
DB22
0
DB21
(LD1)
0
DB20
(LD0)
1
DB19
0
DB18
DB17
（ DAC SEL 1 ） （ DAC SEL 0 ）
1
0
DB16
(PD0)
1
DB15
1
DB14
1
DB13
X
DB12-DB4
X
DB3-DB0
X
第四：写掉电命令数据缓冲区D和加载DAC D： DAC D产出=高阻：
DB23
0
DB22
0
DB21
(LD1)
0
DB20
(LD0)
1
DB19
0
DB18
DB17
（ DAC SEL 1 ） （ DAC SEL 0 ）
1
1
DB16
(PD0)
1
DB15
1
DB14
1
DB13
X
DB12-DB4
X
DB3-DB0
X
该DAC A， B DAC ， DAC C和DAC D模拟输出顺序掉电时的高阻抗
完成第一，第二，第三，和第四写入序列。
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2008 ，德州仪器
