位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第193页 > CY8CLED08-48PVXIT > CY8CLED08-48PVXIT PDF资料 > CY8CLED08-48PVXIT PDF资料1第20页
CY8CLED08
表18. 3.3V直流模拟参考规格
符号
描述
民
典型值
最大
单位
BG
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
带隙基准电压源
AGND = VDD / 2
a
1.28
VDD / 2 - 0.027
不允许
P2[4] - 0.008
BG - 0.009
1.6× BG - 0.018
-0.034
不允许
不允许
不允许
不允许
P2[4] + P2[6] - 0.06
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
P2[4] - P2[6] - 0.048
1.30
Vdd/2
1.32
VDD / 2 + 0.005
V
V
AGND = 2×隙
a
AGND = P [4] （P2 [4] = VDD / 2）
AGND =
带隙
a
AGND = 1.6×隙
a
AGND座布洛克变化（ AGND = VDD / 2 ）
a
REFHI = VDD / 2 +隙
REFHI = 3×隙
REFHI = 2×隙+ P [6]（ P 2 [6] = 0.5V ）
REFHI = P [4] +带隙（P 2 [4] = VDD / 2）
REFHI = P [4] + P [6] （P 2 [4] = VDD / 2 ，P 2 [6] = 0.5V ）
REFHI = 3.2×隙
REFLO = VDD / 2 - 能带隙
REFLO =带隙
RefLo的= 2×隙 - P 2 [6]（ P 2 [6] = 0.5V ）
REFLO = P [4] - 的带隙（P 2 [4] = VDD / 2）
REFLO = P [4] -P2 [6] （P 2 [4] = VDD / 2 ，P 2 [6] = 0.5V ）
P2[4]
BG
1.6× BG
0.000
P2[4] + 0.009
BG + 0.009
1.6× BG + 0.018
0.034
V
V
V
mV
P2[4] + P2[6] - 0.01
P2[4] + P2[6] + 0.057
V
P2[4] - P2[6] + 0.01
P2[4] - P2[6] + 0.048
V
一。 AGND宽容包含在PSoC模块的本地缓冲区的偏移量。
记
参见应用笔记AN2012 “调整PSoC微控制器修剪为双电压范围运行”的信息，在3.3V下的修整操作。
模拟模块的直流规格
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，或3.0V至3.6V和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，分别。典型参数适用于5V和3.3V ，25° C和
仅供设计参考。
表19.模拟模块的直流规格
符号
描述
民
典型值
最大
单位
笔记
R
CT
C
SC
电阻的单位值（连续时间）
电容器单元值（开关电容）
–
–
12.2
80
–
–
k
Ω
fF
文件编号： 001-12981修订版**
第20页37
