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初步
9.0
散热注意事项
CY8C41123和CY8C41223
然而， HV
dd
- V
OH
可以是相当大的和流出的电流
通过GPIO必须仔细看了看，当使用HV
dd
电压
大于5V 。公式为GPIO功耗
公式3 ，我哪里所示
SINK
是总电流的存在沉没
通过GPIO引脚，而我
来源
时的总电流被源通过
GPIO引脚。
P
GPIO
= V
OL
* I
SINK
+ （ HV
dd
- V
OH
) * I
来源
式（3）
所述线性电源PSoC器件能够支持的电源电压
高达36V 。内部线性稳压器提供的标称5
伏特用的M8C处理器和其他内部电源
资源。因为调节到更低的电压产生
多余的热量，必须小心，以不超过最大
PSoC器件中，当使用较高的结温
电源电压。
结温度取决于环境temper-
ATURE ，功率量被消耗在设备和
热阻（ θ
JA
）的包。线性电源
PSoC器件，耗散功率可分为四个
来源： PSoC核心（ CPU ， PSoC模块和系统
资源） ，通用输入/输出（ GPIO ） ，以及
栅极驱动输出（ GD ） 。根据上面的公式结温
ATURE示于式（1） ，其中
θ
JA
是热敏电阻
tance器件封装。
T
J
= T
A
+
θ
JA
* (P
CORE
+ P
GPIO
+ P
GD
)
式（1）
由高压栅极驱动器消耗的功率（ GD0
和GD1 ）被划分成一个电流吸收器和电流源
元素。和GD管脚， （HV
dd
- V
OHGD
）组分是
相对较小，并且在V
OLGD
组分可以是大
（约HV
dd
- 5V ） 。因此，与GD管脚，护理
必须注意要考虑吸收电流的影响。该
方程为GD功耗方程式4所示，
在那里我
SinkGD
是通过GD管脚沉没的总电流，并
I
SourceGD
是来源于通过GD管脚的总电流。
P
GD
= V
OLGD
* I
SinkGD
+ （ HV
dd
- V
OHGD
) * I
SourceGD
核心动力消散在PSoC是供电电压
（ HV
dd
的）时间的综合电流： CPU，数字块，
模拟模块和系统资源（我
dd
） 。该方程为
PSoC内核的功耗为：
P
CORE
= HV
dd
* I
dd
式（2）
消散在PSoC由于在GPIO的功率可以是
分为两部分：当前正在源和电流
被击沉。由于V
OL
是一个相对较小的值（小于
1V ） ，吸收电流不会是一个主要贡献者热
在线性电源的PSoC 。
式（4）
下面的图显示了电源电压的影响，并
当前PSoC的温度。
图9-1A
节目
与以各种不同的电源电压，最大电流
70 ° C的环境温度和
图9-1B
显示
用不同的电源电压在环境最大电流
温度为85℃ 。使用PSoC的模型假设我
dd
=
5mA电流，其他所有电流通过GPIO来源。
在图中各曲线表示最大我
来源
可以
容忍（T
J
保持低于最大极限）在不同
2.5V和36V的电源电压，为特定的软件包。
的最大电流被限幅在85毫安由于驱动局限性
系统蒸发散GPIO引脚上。可提供的封装类型
线性电源的PSoC器件中所示。热电阻
(θ
JA
）的包可以在9.1节中找到第32页。
90
80
70
90
80
70
I
dd
+ I
GPIO
I
dd
+ I
GPIO
60
50
60
50
40
16引脚SOIC
40
30
20
16引脚SOIC
30
20
8引脚SOIC
1
0
0
0
1
0
20
8引脚SOIC
1
0
0
HV
dd
30
0
1
0
20
HV
dd
30
图9-1A 。最大电流与电源电压
按封装（ 70
o
环境）
文档001-00360修订版**
图9-1B 。最大电流与电源电压
按封装（ 85
o
环境）
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