CY28416
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修订准则第2位
修改代码第1位
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描述
表5.水晶建议
频率
（基金）
14.31818 MHz的
切
AT
加载中加载帽
并行
20 pF的
DRIVE
（ MAX 。 ）
0.1毫瓦
分流帽
（ MAX 。 ）
5 pF的
动感
（ MAX 。 ）
0.016 pF的
公差
（ MAX 。 ）
50ppm的
稳定性
（ MAX 。 ）
50ppm的
老化
（ MAX 。 ）
5 ppm的
水晶建议
该CY28416要求
并联谐振晶体。
代的串联谐振晶体会引起
CY28416以错误的频率工作，并违反
ppm的规范。对于大多数应用是有300 -ppm的
串联和并联的晶体因之间的频移
不正确加载。
（CL） 。而在晶体的每一侧上的电容是在
系列水晶，装饰电容（CE1方式， CE 2）应
计算提供平等的容性负载两侧。
时钟芯片
Ci1
Ci2
针
3 6P
水晶装载
晶体装在实现低ppm的perfor-关键作用
曼斯。实现低ppm的性能时，总电容
晶体将会看到，必须考虑到计算了合
priate容性负载（CL） 。
图1
显示了使用两个典型的晶体结构
微调电容器。对于以下的一个重要澄清
讨论的是，修剪电容器串联在
晶体，不平行。那就是加载一个常见的误解
电容器是平行于晶体和应
大约等于晶体的负载电容。
这是
不正确的。
.
Cs1
X1
X2
Cs2
跟踪
2.8pF
XTAL
Ce1
Ce2
TRIM
33pF
图2.晶体加载实例
使用下面的公式来计算微调电容器
值CE1和CE2 。
负载电容（每边）
Ce
= 2 * CL - （CS +次）
总电容（如看到的结晶）
CLE
=
1
1
(
CE1 + CS1 + α1
+
1
CE2 + CS2 + CI2
)
图1.晶体电容澄清
CL ................................................. ...晶体负载电容
CLE .........................................实际装载看到水晶
使用标准值微调电容器
CE ................................................. ....外部微调电容器
CS ..............................................杂散电容（梯田）
次................................................. ..........内部电容
（引线框架，键合线等）
计算负载电容
除了标准的外部调整电容，跟踪
电容和引脚电容，还必须考虑到
正确计算晶体负载。如前面所提到的，
在晶体的每一侧上的电容是串联在
水晶。这意味着上的每一侧上的总电容
晶体必须是两倍于规定的晶体负载电容
1.0版， 2006年11月22日
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