NCP1580
散热注意事项
在NCP1580的功耗与变化
MOSFET配合使用，V
CC
和升压电压（V
BST
） 。该
平均MOSFET栅极电流通常占主导地位的
控制IC的功耗。该IC的功耗是
由下式确定：
PIC
+
（ICC
VCC ）
)
PTG
)
PBG 。
其中：
Q
BG
=总在V更低的MOSFET栅极电荷
CC
.
控制结温IC然后可以
计算公式如下：
TJ
+
TA
)
PIC
q
JA 。
其中：
P
IC
=控制IC的功耗，
I
CC
= IC测量电源电流，
V
CC
= IC电源电压，
P
TG
=顶部栅极驱动损耗，
P
BG
=底部栅极驱动损耗。
上（开关） MOSFET栅极驱动损耗：
PTG
+
QTG
FSW
VBST 。
其中：
T
J
=集成电路的结温，
T
A
=环境温度，
q
JA
=的结到环境的热阻
IC封装。
封装热阻（R
QJC
）可以得到
从这个数据表和规格部分
计算可确定IC结
温度。此外，耐热性
（结至环境/安全工作区）曲线一直
包括下面进一步援助的设计。然而，应该
注意的是，主板的物理布局，附近
其它热源如MOSFET和电感器，以及
金属连接到IC量，冲击温度
该装置。利用这些计算作为指导，但
测量应采取的实际应用。
0.570
0.595
0.645
PD （ W） （ @ 25 ° C环境）
0.620
0.670
0.695
1盎司铜
0.720
0.745
0.770
0.795
其中：
Q
TG
=在VBST总上MOSFET栅极电荷，
f
SW
=开关频率，
V
BST
=在BST引脚电压。
低端（同步） MOSFET栅极驱动损耗：
PBG
+
QBG
FSW
175
165
155
qJA
（ ° C / W）
145
135
125
115
0
2盎司铜
VCC 。
0.820
0.845
0.870
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650
铜面积（毫米
2
)
图16.热阻
（结至环境/安全工作区）
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