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NCP1550
应用信息
电感值计算
选择合适的电感之间的折衷
电感器的物理尺寸，瞬态响应和动力
转换的要求。较低的电感值，节省了成本，
印刷电路板空间，并提供更快的瞬态响应，但
带来更高的纹波电流和磁芯损耗。考虑到一
应用程序加载当前，我
OUT
= 0.5 A和
电感纹波电流，I
L_RIPPLE （P- P）的
被设计为较少
比负载电流的40 ％，即0.5 A ×40 ％= 0.2 A.
电感值和电感之间的关系
纹波电流由下式给出，
T
* （ VIN
*
RDS （ ON） IOUT
*
VOUT ）
L
+
ON
IL *纹波（ P * P ）
（当量1）
P沟道开关的占空比。在高输入电压时，该
二极管导通的大部分时间。在案件的V
IN
方法
V
OUT
时，二极管导通的周期的一小部分。
而在输出端被短路，该二极管将令
到它的最高应力。在这种条件下，二极管必须是
能够安全地处理峰值电流循环中的循环。
因此，要选择一个续流二极管，能够满足这一点很重要
二极管的峰值电流和平均功耗
要求。在正常情况下的平均电流
通过续流二极管进行由下式给出：
ID
+
VIN
*
VOUT
VIN
)
VF
IOUT
（当量2）
其中R
DS （ ON）
是外部的导通电阻
P沟道MOSFET 。图39是一张推荐
对电感的额定输入电压为不同的输出
选项。
12
R
DS （ ON）
= 0.1
W
10
L，电感（mH ）
2.5 V
8
6
4
2
2.7 V
0
2.2
2.7
3.2
3.7
4.2
4.7
5.2
3.0 V
1.8 V
1.9 V
在那里我
D
是平均二极管电流和V
F
是前向
二极管的压降。
快速开关二极管也必须用于优化
效率。肖特基二极管的低正向一个很好的选择
压降和快速开关时间。
输入和输出电容的选择（C
IN
和C
OUT
)
在连续模式运行，的源电流
P沟道MOSFET是方波的占空比（V
OUT
+
V
F
)/V
IN
。为了防止大的输入电压瞬态，低ESR
输入电容器，其可支持的最大RMS输入
电流必须被选择。最大RMS输入电流
I
均方根（MAX）
可以由以下等式在下面来估算：
3.3 V
IRMS （MAX）中
[
IOUT
VOUT （ VIN
*
VOUT ）
2
VIN
1
（当量3）
V
IN
， NCP1550输入电压（ V）
图39.电感的选择图
P沟道功率MOSFET选择
以上估计具有在V的最大值
IN
= 2V
OUT
,
在那里我
均方根（MAX）
= I
OUT
/ 2 。根据惯例，这种简单的
最坏情况是用于设计。
选择输出电容C的
OUT
主要是
由所要求的有效串联电阻（ESR）的管辖
电容器。通常情况下，一旦ESR要求被满足，则
电容将是足够的滤波。输出电压
纹波，V
纹波
近似为：
VRIPPLE
[
IL
*
纹波（ P * P ）
（ ESR
)
（公式4），
1
)
4 FOSCCOUT
一个外部P沟道功率MOSFET必须使用
该NCP1550 。关键的选择标准的权力
MOSFET的是栅极阈值V
GS
， “开”性，
R
DS （ ON）
它的总栅极电荷，Q
T
。对于低输入电压
操作中，我们需要选择一个低的栅极阈值装置，其
可以降低工作的最小输入电压。
DS （ ON）
确定了导通损耗为每个开关周期，
低导通电阻，所述的效率更高可
实现的。功率MOSFET具有更低的栅极电荷可以给
降低开关损耗，但快速瞬变可能会导致
EMI干扰的系统。在妥协之间，
在设计阶段必需的。而对于1.0 2.0 A负载
目前， NTGS3441T1和NTGS3443T1都通过测试，
适用于大多数应用。
续流二极管的选择
其中f
OSC
是开关频率和ESR是
输出电容的等效串联电阻。
从等式（4） ，它可以指出，该输出电压
纹波由两部分作出了贡献。对于大多数的情况下，该
主要因素是电容的ESR 。普通
铝质电解电容器具有较高的ESR和应
被避免。高品质低ESR铝电解
电容器是可接受的和相对便宜的。即使
更好的性能，低ESR的钽电容应
使用。表面贴装钽电容更好，
提供整齐和紧凑的解决方案，适用于空间敏感
应用程序。
续流二极管被导通并进行负荷电流
在关断时间。二极管的平均电流取决于
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