NCP3418 ， NCP3418A
双自举12 V
MOSFET驱动器
输出禁用
该NCP3418和NCP3418A是双MOSFET栅极驱动器
优化，以驱动两高侧和低侧功率的栅极
MOSFET的同步降压转换器。每个驱动器是
能够驱动3000 pF负载为25 ns的传播延迟和的
20 ns的过渡时间。
宽工作电压范围，高或低侧MOSFET
栅极驱动电压可以为最佳效率进行优化。内部，
自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗，由
防止两个MOSFET同时导通。
浮动顶部驱动程序的设计可以容纳VBST电压为
高达30 V ，具有瞬态电压高达35V。两个门输出
可以被驱动为低电平，通过将低逻辑电平的输出禁止
（OD）的引脚。欠压锁定功能，确保了驾驶员
输出为低电平时，电源电压为低，并且热
关断功能提供了与IC过温保护。
该NCP3418A是相同的NCP3418除了没有
内部电荷泵二极管。
该NCP3418引脚对引脚与ADI兼容
ADP3418具有以下优点：
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
1
8
8
1
SO- 8 EP
PD后缀
CASE 751AC
1
=器件代码
X = 8或8A
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
341x
341x
ALYW
341X
AYWW
G
更快的上升和下降时间
内部电荷泵二极管降低了成本和零件计数
系统保护热关断
集成OVP
内部下拉电阻抑制瞬态打开任一
MOSFET
防交叉传导保护电路
浮顶驱动升压容纳高达30 V电压
一个输入信号同时控制上，下门输出
输出禁用控制关闭两个MOSFET的
符合VRM 10.x的规格
欠压锁定
耐热增强型封装
无铅包装是否可用
引脚连接
BST
IN
OD
V
CC
1
8
DRVH
SW
保护地
DRVL
订购信息
设备
NCP3418D
NCP3418DR2
NCP3418ADR2
NCP3418ADR2G
NCP3418PDR2
NCP3418APDR2
包
SO8
SO8
SO8
SO8
（无铅）
SO- 8 EP
SO- 8 EP
航运
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 12牧师
出版订单号：
NCP3418/D
