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LDMOS场效应晶体管
NE55410GR
N沟道硅功率LDMOS FET
FOR 2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器
描述
该NE55410GR是N沟道增强型LDMOS FET设计用于驱动0.1至2.6千兆赫的PA ,例如
如,蜂窝式基站放大器,模拟/数字电视发射机,另一个功率放大器的。本产品有两种不同的
使用我们NEWMOS技术(我们的WSi栅极横向MOS场效应管) ,其氮化物的FET的一个管芯上制造的
表面钝化和四人间层铝硅金属化提供了高度可靠性。
特点
两个不同的场效应管( Q1 :P
OUT
= 2 W , Q2 :P
OUT
= 10瓦)在一个封装
拥有25 dB的增益可以通过连接两个场效应管的串联
: G
L( Q1)的
= 13.5 dB典型值。 (V
DS
= 28 V,I
DSET ( Q1 )
= 20 mA时, F = 2 140兆赫)
: G
L( Q2 )
= 11.0分贝TYP 。 (V
DS
= 28 V,I
DSET ( Q2 )
= 100 mA时, F = 2 140兆赫)
高1 dB压缩输出功率:P
O(1 dB为单位) ( Q1 )
= 35.4 dBm的典型。 (V
DS
= 28 V,I
DSET ( Q1 )
= 20 mA时, F = 2 140兆赫)
: P
O(1 dB为单位) ( Q2 )
= 40.4 dBm的典型。 (V
DS
= 28 V,I
DSET ( Q2 )
= 100 mA时, F = 2 140兆赫)
高漏极效率
低互调失真
单电源(V
DS
: 3 V
& LT ;
V
DS
30 V)
优良的热稳定性
表面安装型,成本超低的塑料封装: 16引脚塑封HTSSOP
集成的ESD保护
对HCI优良的稳定性(热载流子注入)
:
η
D( Q1 )
= 52 % TYP 。 (V
DS
= 28 V,I
DSET ( Q1 )
= 20 mA时, F = 2 140兆赫)
:
η
D( Q2 )
= 46 % TYP 。 (V
DS
= 28 V,I
DSET ( Q2 )
= 100 mA时, F = 2 140兆赫)
: IM
3 (Q1)
=
40
dBc的典型。 (V
DS
= 28 V,I
DSET ( Q1 + Q2)
= 120毫安,
F = 2 132.5 / 2 147.5兆赫,P
OUT
= 33 dBm的( 2音) )
应用
数字蜂窝基站的PA : W-CDMA / GSM / D-AMPS / PDC / N -CDMA / PCS等。
UHF频段电视发射机功率放大器
当处理,因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PU10542EJ02V0DS (第2版)
发布日期2005年6月CP ( K)
商标
表示主要修改点。
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