512千位/ 1兆位/ 2兆位（ X8 ）多用途闪存

SST39SF512A / SST39SF010A / SST39SF020A

数据表

产品特点：

组织为64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8

单5.0V读取和写入操作

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗：

- 工作电流10 mA（典型值）

- 待机电流： 30 μA （典型值）

扇区擦除功能

- 统一4K字节扇区

快速读取访问时间：

- 45和70纳秒

锁存地址和数据

快速擦除和字节编程：

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字节编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：

1秒（典型值）的SST39SF512A

2秒钟（典型值）的SST39SF010A

4秒（典型值）的SST39SF020A

自动写时序

- 内部V

PP

GENERATION

检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

TTL I / O兼容性

JEDEC标准

- 闪存EEPROM的引脚及指令集

封装

- 32引脚PDIP

- 32引脚PLCC

- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）

1

2

3

4

5

6

7

8

产品说明

该SST39SF512A / 010A / 020A的CMOS多陈建

造成闪存（ MPF）与SST专有的制造，

高性能CMOS SuperFlash技术。该

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入

实现更高的可靠性和可制造性比较

与其他方法。该SST39SF512A / 010A /

020A设备写（编程或擦除）与5.0V电源

供应量。该SST39SF512A / 010A / 020A器件符合

JEDEC标准引脚排列X8的回忆。

拥有高性能的字节编程时，

SST39SF512A / 010A / 020A器件提供了最大

字节编程20微秒的时间。这些器件使用翻转

位或数据＃投票指示完成计划

操作。为了防止意外写操作，他们有

片上硬件和软件数据保护

计划。设计，制造和测试了一个宽

的应用范围，这些器件还具有

保证续航能力达10000次。数据保留

额定功率为100年以上。

该SST39SF512A / 010A / 020A设备适合于

需要方便和经济updat-应用

荷兰国际集团计划，配置或数据存储器。对于所有

系统的应用程序，它们显著改善perfor-

曼斯和可靠性，同时降低功耗。

他们擦除和编程过程中会本能地使用更少的能源

比其他闪存技术。在总能源

SUMED是所施加的电压，电流和时间的函数

2000硅存储技术公司

509-3 10/00

S71164

的应用。因为对于任何给定的电压范围内，则

SuperFlash技术的编程电流小，

具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗

任何擦除或编程操作小于替代

闪存技术。这些器件还可以提高灵活性

同时降低成本为程序，数据和配置

存储的应用程序。

SuperFlash技术提供固定的擦除和

程序倍，独立擦除的数目/

已发生的项目周期。因此，系

统软件或硬件没有被修改

或降额，这一点不同于其他闪存技

与nologies ，其擦除和编程时间增加

累积的擦除/编程周期。

为了满足高密度的表面安装的要求，

SST39SF512A / 010A / 020A提供32引脚TSOP

和32引脚PLCC封装。 A 600万， 32引脚PDIP是

也可提供。参见图1 ，图2和3为引出线。

设备操作

命令用于启动存储器操作

该装置的功能。命令被写入到设备

采用标准的微处理器写序列。一个COM

命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃

低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿

或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存

WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。

9

10

11

12

13

14

15

16

在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

规格若有变更，恕不另行通知。

1