ESD保护
ESD损害已经充分认识到了DE- MOSFET
恶习，但任何半导体设备很容易被这
潜在的破坏性源。这是特别真实
非常高的速度，精细的几何形状的过程。
ESD损坏可能会导致放大器输入的微妙变化
特性，而不必破坏设备。在
精密运算放大器，这可能会导致明显
降低失调电压和漂移。因此， ESD
操作注意事项强烈建议当han-
危及周围的OPA2650 。
输出驱动能力
该OPA2650进行了优化驱动75Ω和100Ω
电阻性负载。该器件可驱动2VP -P成75Ω
负载。这种高输出驱动能力，使OPA2650
对于宽范围的RF ，IF和视频的一个理想的选择
应用程序。在许多情况下，额外的缓冲放大器
是不必要的。
许多要求苛刻的高速应用，如驾驶
A / D转换器需要的运算放大器具有低宽带输出
阻抗。例如，低输出阻抗是必不可少
在输入驱动信号相关的电容时
闪光的A / D转换器。如图3所示， OPA2650
保持在频非常低的闭环输出阻抗
昆西。同频闭环输出阻抗增加
由于环路增益昆西与频率降低。
小信号输出阻抗
与频率
1k
G = +1
输出阻抗（ Ω ）
的电源电流为两个通道时间的总供应量
两端的电压的一部分。 P
DL1
和P
DL2
将依赖于
所需的输出信号和负荷。对于接地电阻
负载，和平等双极性电源，他们将在
最大时的输出被固定在等于一个电压
1/2任一电源电压。在这种条件下，磷
DL1
= V
S2
/
(4R
L1
），其中R
L1
包括反馈网络负载。 P
DL2
的计算方法相同。
需要注意的是，在输出级的功率，并且不进
负载，它确定内部功耗。
工作结温（T
J
）由T定
A
+ P
D
θ
JA
，其中t
A
是在室温下进行。
作为一个例子，计算最大的T
J
为OPA2650U
其中两个运算放大器，在G = 2 ，R
L
= 100, R
FB
= 402,
±V
S
=
±5V,
并在指定的最大的T
A
= +85°C.
这给：
P
DQ
=
(
10V 17.5毫安
)
=
175mW
P
DL1
=
P
DL2
=
4
(
100 || 804
)
(
5V
)
2
=
70mW
P
D
=
175mW
+
2
(
70mW
)
=
315mW
T
J
=
85° C
+
0.315W 125°C / W
=
124° C
容性负载
该OPA2650的输出级进行了优化，以驱动低
电阻性负载。容性负载，但是，会降低
放大器的相位裕度可能引起高频
调峰或振荡。比10pF的电容负载较大
应当通过连接电阻小，通常分离
15Ω到30Ω ，在与输出串联，如图4 。
驱动大电容时，这是特别重要
负载，如闪存A / D转换器。增加从增益
1将改善容性负载驱动，由于增加
相位裕度。
一般来说，容性负载应尽量减少，以优化
妈妈的高频性能。同轴电缆线可以驱动
如果电缆被正确端接。同轴电缆的电容
电缆（ 29pF /英尺的RG- 58 ）将不会加载放大器
当同轴电缆或传输线端接于
它的特性阻抗。
100
10
1
0.1
0.01
10k
100k
1M
频率（Hz）
10M
100M
图3.小信号输出阻抗与频率。
25
(R
ISO
通常15Ω至30Ω ）
散热注意事项
该OPA2650将不需要在大多数散热
操作条件。最大期望结温
TURE将设置允许的最大内部功耗
如下所述。在任何情况下，最大结
温度允许超过175 ℃。
总的内部功耗（P
D
）为一个的总和
静态功耗（P
DQ
）和额外的功率消耗在
在两个输出级（P
DL1
和P
DL2
） ，同时提供负载
力。静态功耗只是指定的空载
R
ISO
OPA2650
R
L
C
L
图4.驱动容性负载。
9
OPA2650
