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CAT22C10
召回
在任何时候，除了存储操作过程中，采取的
召回
引脚为低电平，将进行回收操作。这是
独立的状态
CS ， WE，
OR A
0
–A
5
。后
召回
脚已经保持为低电平的持续时间
召回脉冲宽度（T
RCP
） ，此次召回将继续不知疲倦
下垂的任何其他投入。在回忆中，整个
电子内容
2
PROM的阵列被转移到静
RAM阵列。数据的第一个字节可以是从外部
从年底的调用数据访问时间后访问
召回（T
ARC
）被满足。在这之后，任何其他字节可以是
通过使用正常读模式下访问。
如果
召回
引脚保持低电平整个回收周期
时间（t
RCC
） ，静态RAM中的内容可以是
立即通过使用正常读模式下访问。
召回的操作可以进行无限num-
次误码率，而不影响数据的完整性。
输出I / O
0
-I / O
3
将进入高阻抗
状态，只要
召回
信号为低。
商店
在任何时间，除了一个调用操作过程中，取
商店
引脚为低电平将启动存储操作。这需要
图4.回收周期时序
把独立的国家
CS ， WE
OR A
0
–A
5
。该
商店
引脚必须保持为低电平商店的持续时间
脉冲宽度（T
STP
），以确保一个存储操作是
发起。一旦启动，
商店
引脚变为
“不关心”，而存储操作将完成其
的静态RAM阵列中的全部内容传输
成电子
2
在存储周期时间内PROM阵列
(t
STC
） 。如果在写周期被启动存储操作，
被寻址的静态RAM字节和其内容
在E对应的字节
2
PROM阵列将非
众所周知的。
在存储操作时，输出为高
阻抗状态。最低10万店内操作
令可以被可靠地执行，并且所述数据写入到
电子
2
PROM阵列具有最小数据保持时间
的10年。
POWER- UP在数据保护和
掉电
该CAT22C10具有片内电路，以防止
发生在V存储操作
CC
瀑布下方
3.0V （典型值） 。此功能消除了潜在的危险
杂散信号启动存储操作时，
系统电源低于3.0V （典型值） 。
TRCC
地址
TRCP
召回
TARC
CS
TORC
高-Z
数据I / O
tRCZ
数据中，未定义
数据有效
5153 FHD F08
图5.存储周期时序
TSTC
三偏磷酸钠
商店
tSTZ
数据I / O
高-Z
托斯特
5153 FHD F07
文档。第25018-0A 2/98 N-1
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