飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压/低功耗的单芯片
8位微控制器与I
2
C
80CL410/83CL410
背驮式规格
蒙面版本之间的差异
与搭载在本文中描述。
特点
概述
该P85CL000HFZ是背驮式版本
具有256字节的RAM用于仿真
在P83CL410微控制器。该
P85CL000HFZ是在一个制造
先进的CMOS技术。该指令
集的P85CL000HFZ的是基于对
8051该器件具有低功耗
消费和宽电源电压
范围内。该P85CL000HFZ有两个软件
对活性降低的可选模式
进一步降低功耗：空闲和
掉电。用于定时和交流/直流
特征，请参考P83CL410
特定连接的阳离子。
全静态80C51 CPU
8位的CPU ，内存， I / O在单一
40引脚DIP
增强的架构：
–
非页的指令
–
直接寻址
–
4 8字节的RAM寄存器组
–
堆栈深度可达128个字节
–
乘，除，加减和比较
说明
插座多达16K的外部EPROM
256字节RAM ，可扩展到外部
64K字节
4个8位端口， 32个I / O口线
两个16位定时器/计数器
外部存储器最大可扩充至128K ，
外部ROM可达64K和/或RAM高达
64K
十三源， 13向量中断
结构有两个优先级
STOP和IDLE指令
通过在端口1个外部中断唤醒
1.8V的单电源电压为6.0V
片上振荡器（选项：振荡器4 ）
极低的电流消耗
工作温度范围：
-40至+ 85°C
全双工串行口（ UART ）
I
2
C总线接口，两个串行传输
线
背驮式标准
类型： P85CL000HFZ
仿真为： P83CL410 ， P80CL51
蒙面微控制器和相应的搭载之间的差异列表：
参数
RAM大小
ROM大小
端口选项
振荡器选项
机甲。尺寸
目前的缺点。
电压范围
ESD
MASKED控制器
128
4k
1, 2, 3
振荡器。 1，2， 3，4，钢筋混凝土
标准的双列直插式，小外形
I
DD
满
规范
搭载
256
EPROM的大小取决于（最大16K ）
1
振荡器。 4
见SOT158A
I
DD
（OSC 4 ） + I
EPROM
满，受EPROM
没有测试（不同的包装）
购买飞利浦的我
2
C组分传达了飞利浦的我根据许可
2
C的专利
使用该部件，在我
2
空调系统所提供的系统符合
I
2
C规格定义的飞利浦。此规范可以使用订购
代码9398 393 40011 。
1995年1月20日
23
