飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压/低功耗的单芯片
8位微控制器与I
2
C
80CL410/83CL410
表4 。
振荡器选型指南
C1 EXT 。
C2 EXT 。
最大
15
30
15
20
10
15
10
15
50
50
40
40
20
15
40
90
民
0
0
0
0
0
0
0
0
40
15
0
0
0
0
10
20
最大
0
30
15
20
10
15
10
15
50
50
40
40
20
15
40
90
最大谐振器
串联电阻
15k
1
600
100
75
60
60
40
20
10
100
10
10
5
6
6
10H = 1
100H = 5
1MH = 75Ω
F（兆赫）
0.032
1.0
3.58
4.0
6.0
10.0
12.0
16.0
0.455
1.0
3.58
4.0
6.0
10.0
12.0
选项
Osc.1
Osc.2
Osc.2
Osc.2
Osc.3
Osc.4
Osc.4
Osc.4
Osc.2
Osc.2
Osc.2
Osc.2
Osc.2
Osc.3
Osc.4
Osc.2
民
5
0
0
0
0
0
0
0
40
15
0
0
0
0
10
20
谐振器
石英
石英
石英
石英
石英
石英
石英
石英
PXE
PXE
PXE
PXE
PXE
PXE
PXE
LC
注意：
1. 32kHz的石英晶体比15kΩ的串联电阻较高会降低保证电源电压范围为2.5 3.5V 。
表5 。
振荡器等效电路参数（见图6）
选项
Osc.1
Osc.2
Osc.3
Osc.4
Osc.1
Osc.2
Osc.3
Osc.4
Osc.1
Osc.2
Osc.3
Osc.4
Osc.1
Osc.2
Osc.3
Osc.4
符号
g
m
g
m
g
m
g
m
c1
i
c1
i
c1
i
c1
i
c2
i
c2
i
c2
i
c2
i
R2
R2
R2
R2
条件
T = + 25°C ; V
DD
= 4.5V
T = + 25°C ; V
DD
= 4.5V
T = + 25°C ; V
DD
= 4.5V
T = + 25°C ; V
DD
= 4.5V
民
–
200
400
1000
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值
15
600
1500
4000
3.0
8.0
8.0
8.0
23.0
8.0
8.0
8.0
3800
65
18
5.0
最大
–
1000
4000
10000
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
单位
s
s
s
s
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
k
k
k
k
参数
跨
输入电容
输出电容
输出电阻
1995年1月20日
14
