飞利浦半导体
产品数据
80C51的8位微控制器系列
16 KB OTP / ROM ， 512B
内存，低电压（ 2.7 5.5V） ，低功耗，高速（ 30/33
兆赫），两个400KB我
2
I2C接口
P8xC660X2/661X2
扩展数据RAM寻址
该P8xC660X2 / 661X2具有映射的内部数据存储器
为四个独立的部分：低128字节RAM ，高128
字节的RAM ， 128字节特殊功能寄存器（ SFR ）和
256字节扩展RAM （ ERAM ） （ 768字节的RD2 ） 。
这四个扇形部分是：
1.低128字节的RAM （地址从00H到7FH）可
直接或间接寻址。
2.高位128字节的RAM （地址从80H到FFH）
只是间接寻址。
3.特殊功能寄存器，特殊功能寄存器（地址从80H到FFH ）
只能直接寻址。
4.七百六十八分之二百五十六字节扩展RAM （ ERAM ， 00H - 1FFH / 2FFH ）
间接通过移动外部指令， MOVX和访问
与EXTRAM位清零，见图48 。
低128字节可通过直接或间接的访问
寻址。高128字节可通过间接访问
只有解决。高位128字节的RAM占用相同的地址
空间的SFR 。这意味着它们具有相同的地址，但
物理上独立的SFR空间。
当一个指令访问上述地址的内部位置
7FH ，则CPU知道的访问是否是高128字节
的数据的RAM或通过在所使用的寻址方式来SFR空间
指令。使用直接寻址访问SFR的说明
空间。例如：
MOV 0A0H ， ＃数据
访问在位置0A0H的SFR （这是P2） 。指令
使用间接寻址访问高位128字节的数据RAM 。
例如：
MOV @ R0 ， ACC
其中， R0内容为0A0H ，访问数据字节地址0A0H ，
而不是P2（地址为0A0H ） 。
该ERAM可以通过间接寻址访问，与EXTRAM
位清零， MOVX指令。内存这部分是物理
位于芯片上，逻辑上占据第一七百六十八分之二百五十六字节的外部
在P8xC660X2 / 661X2数据存储器。
为EXTRAM = 0时， ERAM进行间接寻址，使用
MOVX指令结合任何的寄存器R0，R1
所选择的银行或DPTR 。到ERAM接入不会影响口
P0 ， P3.6 （ WR ＃ ）和P3.7 （ RD ＃ ） 。 P2 SFR是在外部输出
寻址。例如，用EXTRAM = 0，
MOVX @ R0 ， ACC
其中， R0内容为0A0H ，访问ERAM地址0A0H
而不是外部存储器。到外部数据存储器的存取
位置高于ERAM将与MOVX进行
以同样的方式DPTR指令为标准80C51中，所以
P0和P2口作为数据/地址总线， P3.6和P3.7和作为写
和读信号。请参考图49 。
随着EXTRAM = 1 ， MOVX @Ri和MOVX @DPTR将类似于
在标准80C51 。 MOVX @日将提供一个8位地址
数据复用端口0和任意输出端口的引脚可以
用于输出的高阶地址位。这是提供
外部分页功能。 MOVX @DPTR将产生一个16位的
地址。端口2输出高8位地址（该
DPH的内容），而P0口复用的低阶8
地址位（ DPL ）的数据。 MOVX @Ri和MOVX @DPTR会
生成读取或写入的P3.6 （ WR ）和P3.7 （ RD ）信号。
堆栈指针（SP）中的256个字节可以位于任何地方
RAM（下限和上限RAM）的内部数据存储器。该协议栈可
不设在ERAM 。
2003 10月2日
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