恩智浦半导体
BTA201系列B， E和ER
1三象限三端双向可控硅整流高
10
3
I
TSM
(A)
I
T
003aaa955
I
TSM
t
t
p
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
2
(1)
10
10
5
10
4
10
3
10
2
t
p
(s)
10
1
t
p
≤
20毫秒
（1）的dI
T
/ dt限制
图3 。
非重复性峰值通态电流为脉冲宽度的功能;最大值
001aag961
3
I
T（ RMS ）
(A)
2
1.2
I
T（ RMS ）
(A)
1.0
54.3
°C
001aag960
0.8
0.6
1
0.4
0.2
0
10
2
10
1
1
10
浪涌持续时间（ S）
0
50
0
50
100
150
T
领导
(°C)
F = 50赫兹;牛逼
领导
≤
54.3
°C
图4 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图5 。
RMS通态电流引线的功能
温度;最大值
BTA201_SER_B_E_ER_4
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产品数据表
牧师04 - 2008年2月4日
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