P L I M I N A R
SRAM
当使用的SRAM而不是DRAM的主存储器，
高达16兆字节的可被访问的SRAM是或 -
ganized为一个或两个银行。每家银行的16位宽
并设置有一个低和高字节选择。
一个SRAM存储器接口选择通过设置位0
的其他6寄存器， 70H指数。如果这是
完成后， CAS1H ， CAS1L ， CAS0H和CAS0L会
它们的复用功能SRAM片选引脚3-0
（ SRCS3 - SRCS0 ） 。表17显示了关键SRAM AC-
塞斯引脚。
请参阅表14行大小设置39页。
SRCS0
SRCS1
SRCS2
SRCS3
SA23–SA1
MWE
表17. SRAM存取销
引脚名称
I / O
O
O
O
O
O
0
功能
SRAM存储区0的低字节选择
SRAM存储区0的高字节选择
SRAM银行1低字节选择
SRAM银行1高字节选择
地址（ 16M字节的最大值）
写使能
该MS2 - MS0位的内存配置稳压
存器，指数66H ，也可用于对整个程序
SRAM的大小。位变址寄存器B4H 7个必须
清除了SRAM配置。表中包含Infor公司
息约SRAM等待状态的逻辑，和表28
61页包含SRAM接口备用引脚Infor公司
息。
表18 。
CON组fi guration
指数63H
4位
x
0
1
指数66H
位1和位0
00
01
01
SRAM等待状态选择逻辑
SRAM速度
20兆赫
45纳秒
80纳秒
120纳秒
25 MHZ
35纳秒
55纳秒
100纳秒
33兆赫
25纳秒
35纳秒
70纳秒
等待状态的数量
读
0
1
2
写
1
1
2
注意事项：
参见索引单元70h ，位0 ，在
义隆
TM
SC310单片机编程参考手册
，订单号20665的信息
如何选择SRAM与DRAM 。
该PMU模式和时钟发生器
电源管理单元（ PMU ）监控所有系
统的活动（例如，键盘，屏幕，和磁盘的事件） ，
并且，基于该系统的状态，确定在
该操作模式下，系统应运行。
该PMU支持六种工作模式，每个定义的
通过CPU与外设能操作的不同组合
ATION ，如图所示在下面的列表中。
1.
高速PLL 。
所有时钟都处于最快
速度和所有外设供电。这是
该模式下，系统进入时，活动DE-
通过PMU tected 。
2.
低速PLL 。
内部CPU时钟为重
缩小以最多4.608兆赫。所有其它时钟
和外设以全速运行。这是
节能的第一级;这之后进入
经过指定的时间没有活动。
3.
打瞌睡。
节能的第二个层次。该
CPU，系统和DMA时钟都停止。该
高速PLL被关闭。时进入此模式
后的指定经过时间，没有活性。
4.
SLEEP。
额外的时钟和外设全部
之后，更多的活动停止了一直DE-
tected 。确切的参数进行编程。
该低速的PLL可以留在，所以一个快速的星形
和设定是可能的。
5.
暂停。
几乎所有的系统被关闭，
包括所有的时钟， 8254定时器，并且相
锁相环（可编程的恢复时间
与此相关联的方式） 。 32.768 kHz的时钟
输入仍在运行。
6.
关。
这个电平几乎是相同的挂起
模式。两个输出可被编程来改变
状态时，从过渡挂起模式关闭
模式出现。 DRAM刷新可以被禁用
关闭模式。
此外， lanSC310微控制器可以MAN-
老化的外围设备的电力消耗。这
控制可以在进入具体的operat-被强制
荷兰国际集团模式，或者可以直接由固件进行处理。该
lanSC310微PMU控制五大电力
ELAN SC310单片机数据表
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