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HAT1069C
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
120
脉冲测试
–4 A
–1.8 V
–1.5 A
–4 A
–2.5 V
40
20
–25
V
GS
= –4.5 V
0
25
50
75
100 125
150
I
D
= –4 A, –1.5 A, –1 A
–1 A
–1.5 A –1 A
100
脉冲测试
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
10
80
TC = -25°C
60
75°C
1
25°C
0.1
–0.1
–0.3
–1
V
DS
= –10 V
–3
–10
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
1000
科斯
100
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
I
D
= –3 A
V
DD
= –10, –12 V
–7 V
–5 V
–8
–5 V
–7 V
–10 V
V
DD
= –12 V
–4
CRSS
10
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–16
0
10
栅极电荷Qg （ NC ）
–8
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关特性
1000
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–16
开关时间t（ NS ）
TD （关闭）
tf
tr
100
TD （上）
反向漏电流I
DR
(A)
V
GS
= –4.5 V, V
DD
= –10 V
脉冲测试
–12
–5 V
–8
V
GS
= 0, 5 V
–4
10
–0.1
TA = 25°C
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–1
–10
–100
漏电流I
D
(A)
源极到漏极电压V
SD
(V)
REJ03G0164-0300 Rev.3.00 2007年10月19日
第4 5
栅极至源极电压V
GS
(V)
10000
0
0
电容C （PF ）
