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HA456
电气规格
V
供应
= ± 5V , AGND = DGND = 0V ,R
L
= 400Ω
(注
2 ) ,除非另有说明。
(续)
(注3)
TEST
水平
A
B
DC ,V
S
=
±4.5V
to
±5.5V,
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V或5V
A
A
A
A
A
SER OUT逻辑低电压
SER输出逻辑高电平
AC特性
(注4 )
-3dB带宽(注6 )
C
L
= 5pF的,V
IN
= 200mV的
P-P
C
L
= 5pF的,V
IN
= 1V
P-P
C
L
= 5pF的,V
IN
= 2V
P-P
压摆率(注6 )
一切敌对串音(注6 )
所有敌对关断隔离(注6 )
微分相位
V
OUT
= 4V
P-P
10MHz时,V
IN
= 1V
P-P
, R
L
=1kΩ
10MHz时,V
IN
= 1V
P-P
NTSC或PAL中,R
L
=
1kΩ
NTSC或PAL中,R
L
10kΩ
微分增益
NTSC或PAL中,R
L
=
1kΩ
NTSC或PAL中,R
L
≥10kΩ
时序特性
(参见图3的更多信息)
写脉冲宽度高(T
WH
)
写脉冲宽度低(T
WL
)
芯片使能设置时间来写(T
CS
)
芯片使能保持时间从写(T
CH
)
数据和地址建立时间写(T
DS
)
并行模式
串行模式
数据和地址保持时间从写(T
DH
)
锁存脉冲宽度(T
L
)
锁定延迟,从写(T
D
)
LATCH缘来禁止输出(T
关闭
)
LATCH边缘到输出启用(T
ON
)
输出中断前先延迟(T
ON -
t
关闭
)
注意事项:
2.对于最低串扰,最好的复合视频性能,用R
L
1kΩ.
3.测试等级:A产品测试; B.典型或保证限额以表征; C.设计典型仅供参考。
4.看AC测试电路(图6至图9 ) 。
5.不包括D1 / SER OUT这是一个双向的终端,从而落入下更高的输出漏限制。
6.了解更多信息,请参见典型性能曲线。
串行模式
串行模式
串行模式
A
A
A
A
A
A
A
A
A
B
B
B
20
20
5
5
20
20
25
40
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
185
155
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
70
50
200
-55
70
0.05
0.05
0.05
0.02
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
dB
dB
°
°
%
%
串行模式下,我
OL
= 1.6毫安
串行模式下,我
OH
= -0.4mA
A
A
温度
(°C)
25
25
25
参数
输出电阻
输出电容
(禁止输出)
电源抑制比
数字输入电流(注5 )
数字输入低电压
数字输入高电压
测试条件
输出禁用
0.6
-
45
-
-
2.0
2.2
-
3.0
典型值
15
3.5
53
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
1
0.8
-
-
0.4
-
单位
pF
dB
μA
V
V
V
V
V
5
FN4153.5
2006年8月14日

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