BUZ 41条
雪崩能量
E
AS
=
(T
j
)
参数：
I
D
= 4.5 A,
V
DD
= 50 V
R
GS
= 25
,
L
= 28.4毫亨
340
mJ
典型值。栅极电荷
V
GS
=
(Q
门
)
参数：
I
PULS
= 7 A
16
V
E
AS
280
240
V
GS
12
10
200
8
0,2
V
DS最大
0,8
V
DS最大
160
120
6
80
40
0
20
4
2
0
40
60
80
100
120
°C
160
0
10
20
30
40
50
nC
65
T
j
Q
门
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
=
(T
j
)
600
V
580
V
（ BR ） DSS
570
560
550
540
530
520
510
500
490
480
470
460
450
-60
-20
20
60
100
°C
160
T
j
半导体集团
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