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P4C164
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号
t
RC
t
AA
t
AC
参数
读周期
时间
地址
存取时间
芯片使能
存取时间
输出保持
从地址
变化
芯片使能到
在低Z输出
芯片被禁止
到输出的
高Z
OUTPUT ENABLE
低到数据
有效
OUTPUT ENABLE
低到低Z
OUTPUT ENABLE
高到高阻
芯片使能到
上电
时间
芯片被禁止
断电
时间
0
2
5
3
-8
-10
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-70
-100
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
8
8
8
10
10
10
12
12
12
15
15
15
20
20
20
25
25
25
35
35
35
45
45
45
70
70
70
100
100
100
ns
ns
ns
t
OH
3
3
3
3
3
3
3
3
3
ns
t
LZ
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
ns
t
HZ
5
6
7
8
8
10
15
20
35
45
ns
t
OE
5
6
7
9
10
13
18
20
35
45
ns
t
OLZ
t
OHZ
2
6
2
7
2
9
2
9
2
12
2
15
2
20
2
35
2
45
ns
ns
t
PU
0
0
0
0
0
0
0
0
0
ns
t
PD
8
10
12
15
20
20
20
25
35
45
ns
读循环中没有时序波形。 1 （ OE控制）
(5)
OE
注意事项：
5.
WE
为高的读周期。
6.
CE
1
为低电平，CE
2
为HIGH和
OE
为低电平读周期。
7.地址必须是有效的之前或与重合
CE
1
过渡
LOW和CE
2
变为高电平。
8.转变是从稳态电压前测量± 200 mV的
改变，同时装载如在图1中指定的该参数是
采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM115
F版
第16页4
