位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1359页 > PIC16LC505T-04/JW > PIC16LC505T-04/JW PDF资料 > PIC16LC505T-04/JW PDF资料2第36页
PIC16C505
7.7
延时时序，功率下降，
和唤醒从休眠状态位
（ TO / PD / RBWUF ）
7.8
复位欠压
掉电是一个条件，即器件电压（V
DD
)
下降到低于其最小的值，但不为零，然后
恢复。该装置应在的情况下被复位
掉电。
要重置PIC16C505设备时掉电
发生时，外部欠压保护电路可能是
建，如图7-13和图7-14 。
在TO ， PD和RBWUF位在状态寄存器
可以进行测试，以确定是否复位状态
是由上电条件，MCLR或
看门狗定时器（ WDT ）复位或MCLR或WDT
复位。
表7-7 ：
RBWUF TO
0
0
0
0
0
1
图例：
0
0
1
1
u
1
TO / PD / RBWUF状态
复位后
PD
0
1
0
1
u
0
图7-13 ：欠压保护
电路1
V
DD
V
DD
33k
10k
Q1
MCLR
40k*
PIC16C505
RESET引起的
WDT唤醒从
睡觉
WDT超时（不是从
SLEEP ）
MCLR唤醒从
睡觉
上电
MCLR不是在SLEEP
唤醒从休眠模式
引脚电平变化
注：u =不变
注1： TO ， PD和RBWUF位main-
覃其状态（u ），直到复位
发生。对MCLR的低脉冲
输入不改变TO ， PD ，
和RBWUF状态位。
该电路将激活复位时， V
DD
低于Vz +
0.7V（其中Vz =齐纳电压）。
*请参阅图7-7和表10-6为内部弱上拉
起来MCLR 。
这些状态位仅受上市事件
表7-8 。
图7-14 ：欠压保护
电路2
V
DD
V
DD
R1
Q1
MCLR
R2
40k
表7-8 ：
EVENT
上电
WDT超时
活动 - 影响TO / PD
状态位
RBWUF
0
0
u
u
1
TO
1
0
1
1
1
PD
1
u
0
1
0
备注
无影响
在PD
PIC16C505
SLEEP指令
CLRWDT
指令
唤醒从
SLEEP引脚
变化
注：u =不变
会发生的状况的WDT超时而不管
TO位。 SLEEP指令将被执行，而不管
PD位的状态。表7-7重新佛罗里达州ECTS TO状态
而相应的事件后， PD 。
此欠压电路成本较低，但
不太准确。晶体管Q1关断时， V
DD
低于一定水平，使得：
V
DD
R1
R1 + R2
= 0.7V
表7-4列出了复位条件，特别
功能寄存器，而表7-3列出了复位
条件为所有的寄存器。
*请参阅图7-7和表10-6为内部弱
拉MCLR上。
DS40192A第36页
初步
1998年Microchip的科技公司
