添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1151页 > CY7C1425BV18 > CY7C1425BV18 PDF资料 > CY7C1425BV18 PDF资料1第19页
初步
在QDR - II SRAM的上电顺序
[13]
QDR -II SRAM的必须启动并在初始化
prede网络斯内德的方式,以防止理解过程把网络定义操作。
上电顺序
应用功率DOFF连接到高电平(所有其他输入即可
高或低)
应用V
DD
前V
DDQ
应用V
DDQ
前V
REF
或同时为V
REF
1024个周期,以提供稳定的电源和时钟(K , K)
锁定DLL 。
DLL约束
CY7C1410BV18
CY7C1425BV18
CY7C1412BV18
CY7C1414BV18
DLL使用K时钟作为其同步输入。输入
应具有低的相位抖动,其被指定为t
KC功
.
该DLL将正常工作的最低频率为80兆赫。
如果输入时钟不稳定, DLL被启用,那么
该DLL可能会锁定到不正确的频率,从而导致
SRAM工作不稳定。为了避免这种情况,提供了1024个周期
稳定的时钟重新锁定到所需的时钟频率
POWER- UP波形
~
~
K
K
~
~
不稳定的时钟
> 1024稳定的时钟
正常启动
手术
时钟启动
(钟
之后开始
V
DD
/ V
DDQ稳定)
V
DD
/ V
DDQ
DOFF
V
DD
/ V
DDQ稳定(每50ns的< +/- 0.1V DC)
解决高(或连接到VDDQ )
注意事项:
13.电期间,当DOFF连接到高电平时,DLL后,得到稳定的时钟的1024个周期锁定。
文件编号: 001-07036修订版* B
第19页26
[+ ]反馈

深圳市碧威特网络技术有限公司