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CY7C1386B
CY7C1387B
写周期说明
[5,6,7]
功能（ 1386B ）
读
读
写字节0 - DQA
写字节1 DQB
写字节1,0
写字节2 - DQC
写字节2,0
写字节2 ， 1
写字节2 ， 1 ， 0
写字节3 - DQd5
写字节3,0
写字节3,1
写字节3 ， 1,0
写字节3 ， 2
写字节3 ， 2 ， 0
写字节3 ， 2 ， 1
写的所有字节
写的所有字节
GW
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
BWE
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
BWD
X
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
X
BWC
X
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
X
BWB
X
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
X
BWA
X
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
X
功能（ 1387B ）
读
读
写字节0 - DQ
[7:0]
和DP
0
写字节1 - DQ
[15:8]
和DP
1
写的所有字节
写的所有字节
GW
1
1
1
1
1
0
BWE
1
0
0
0
0
X
BWB
X
1
1
0
0
X
BWA
X
1
0
1
0
X
注意事项：
5， X = “无所谓” ， 1 =逻辑高电平， 0 =逻辑低电平。
6. SRAM总是启动一个读周期时， ADSP断言，无论GW ， BWE ，或BW的状态
x
。写入只能在后下一时钟发生
在ADSP或ADSC的说法。其结果是，原始设备必须被驱动为高电平的写周期开始之前，以使输出到三态。 OE是一个
“不关心”的写周期的剩余部分。
7. OE是异步的，并且不采样与时钟的上升。这是在写周期内屏蔽。在读周期DQ =高阻当OE处于非活动状态
或者，当装置的选择取消，和DQ =数据当OE激活。
文件编号： 38-05195牧师**
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