CY7C1381D ， CY7C1381F

CY7C1383D ， CY7C1383F

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文档标题： CY7C1381D / CY7C1383D / CY7C1381F / CY7C1383F 18兆位（ 512K ×36 / 1M ×18 ）流通型SRAM

文件编号： 38-05544

启示录

**

*A

ECN NO 。发行日期

254518

288531

见ECN

见ECN

原稿。的

变化

RKF

SYT

新的数据表

在编辑说明“ IEEE 1149.1串行边界扫描（ JTAG ） ”的

不遵守1149.1

除去117 MHz的速度斌

新增无铅信息100引脚TQFP ， 119 BGA和165 FBGA

包

的顺序自下而上“无铅封装BG可用性”添加注释Infor公司

息

地址扩展针脚/球在引脚的所有包被修改

根据JEDEC标准

在EXTEST输出总线三态补充说明

水龙头指令集概述和EXTEST修改描述

更改的设备宽度（ 23时18分）， 119 - BGA ，从000001到101001

165 -FBGA设备宽度增加了单独的行（ 23:18 ）

变

Θ

JA

和

Θ

JC

从31和6 TQFP封装

° C / W

以28.66和

4.08

° C / W

分别

变

Θ

JA

和

Θ

JC

针对BGA封装45和7

° C / W

23.8和6.2

° C / W

分别

变

Θ

JA

和

Θ

JC

为FBGA封装，从46和3

° C / W

20.7和4.0

° C / W

分别

修改V

OL ，

V

OH

测试条件

的顺序自下而上“无铅封装BG可用性”移除评论

信息

更新订购信息表

从初步改为决赛

更新订购信息表

赛普拉斯半导体公司对页当前第1更改的地址

“ 3901北一街”到“ 198冠军苑”

改变了我的介绍

X

从输入负载电流输入泄露

当前页＃ 18

改变了我

X

模式的页＃ 18从电流值-5

A

30

A

-30

A

和5

A

改变了我

X

ZZ的页＃ 18 -30电流值

A

和5

A

至-5

A

30

A

改变了V

IH

＆ LT ; V

DD

到V

IH

＆ LT ; V

DD

上页＃ 18

与包图中的订购替换包名称列

信息表

更新订购信息表

添加的最大额定电源电压的V

DDQ

相对于GND

改变的吨

TH

, t

TL

从25 ns至20 ns的和T

TDOV

从5 ns至10 ns的TAP交流

开关特性表。

更新了订购信息表。

新增部分号码CY7C1381F和CY7C1383F及相关信息

添加脚注＃ 3对芯片使能

更新订购信息表

变化的说明

*B

326078

见ECN

PCI

*C

*D

351895

416321

见ECN

见ECN

PCI

NXR

*E

475009

见ECN

VKN

*F

776456

见ECN

VKN

文件编号： 38-05544牧师* F

第29页29

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