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CY7C1361C
CY7C1363C
文档历史记录页
文档标题： CY7C1361C / CY7C1363C 9兆位（ 256K ×36 / 512K ×18 ）流通型SRAM
文件编号： 38-05541
启示录
**
*A
*B
ECN号
241690
278969
332059
发行日期
见ECN
见ECN
见ECN
原稿。的
变化
RKF
RKF
PCI
新的数据表
变边界扫描顺序来匹配这些设备的乙转。
除去117 MHz的速度斌
地址扩展针脚/球在引脚的所有包进行修改
按照JEDEC标准
添加地址扩展插针的针脚定义表
更改的设备宽度（ 23时18分）， 119 - BGA ，从000001到101001
165 -FBGA设备宽度增加了单独的行（ 23:18 ）
改变了我
DDZZ
35 mA至50毫安
改变了我
SB1
我
SB3
为40 mA至110和100毫安，分别
修改V
OL ，
V
OH
测试条件
纠正我
SB4
从测试条件（V
IN
≥
V
DD
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ）至
(V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
）在电气特性表
变
Θ
JA
和
Θ
Jc
为TQFP封装25和10° C / W至29.41
和6.13 ° C / W
分别
变
Θ
JA
和
Θ
Jc
针对BGA封装25和6 ° C / W为34.1和
14.0 ° C / W
分别
变
Θ
JA
和
Θ
Jc
为FBGA封装，从27和10°C / W至16.8
和3.0
° C / W
分别
100引脚TQFP ， 119 BGA和165 FBGA增加了无铅信息
套餐
更新订购信息表
改变了我
SB2
从30到40毫安
从V附注14 ＃修改测试条件
IH
＆ LT ; V
DD
到V
IH
＆ LT ;
V
DD
赛普拉斯半导体公司对第1号已更改地址
从“ 3901北一街”到“ 198冠军苑”
改变三州三州。
修改“输入加载”到“输入漏电流除ZZ和MODE ”
在电气特性表。
与包图中的订购替换包名称列
信息表。
更新了订购信息。
包括汽车范围。
添加的最大额定电源电压的V
DDQ
相对于GND
改变的吨
TH
, t
TL
从25 ns至20 ns的和T
TDOV
从5 ns至10 ns的TAP
AC开关特性表。
更新了订购信息表。
变化的说明
*C
*D
377095
408298
见ECN
见ECN
PCI
RXU
*E
*F
433033
501793
见ECN
见ECN
NXR
VKN
文件编号： 38-05541牧师* F
第31页31
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