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CY7C1360B
CY7C1362B
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND ........ -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在三态..................................... -0.5V到V
DDQ
+ 0.5V
直流输入电压....................................- 0.5V至V
DD
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
环境
范围
温度
V
DD
V
DDQ
商业0 ° C至+ 70°C 3.3V - 5 ％ / + 10 ％ 2.5V - 5 ％
到V
DD
产业
-40 ° C至+ 85°C
电气特性
在整个工作范围
[13, 14]
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
I / O电源电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
[13]
输入低电压
[13]
输入负载电流
除ZZ和MODE
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V, V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DDQ
= 2.5V, V
DD
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
DDQ
= 3.3V, V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
V
DDQ
= 2.5V, V
DD
=最小值，我
OL
= 1.0毫安
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
2.0
1.7
–0.3
–0.3
–5
–30
5
–5
30
–5
4.4 ns的周期， 225兆赫
5 ns的周期， 200兆赫
6 ns的周期，频率为166 MHz
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
SB4
自动CE
掉电
目前-TTL输入
V
DD
=最大，设备选中，
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
f = f
最大
= 1/t
CYC
所有速度
5
250
220
180
50
测试条件
分钟。
3.135
3.135
2.375
2.4
2.0
0.4
0.4
V
DD
+ 0.3V
V
DD
+ 0.3V
0.8
0.7
5
马克斯。
3.6
V
DD
2.625
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
单位
V
V
模式输入输入电流= V
SS
输入= V
DD
ZZ的输入电流
I
OZ
I
DD
输入= V
SS
输入= V
DD
输出漏电流GND
≤
V
I
≤
V
DDQ ，
输出禁用
V
DD
工作电源
当前
V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
CYC
自动CE
V
DD
=最大，设备选中，
掉电
V
IN
≤
0.3V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
– 0.3V,
目前， CMOS输入F = 0
所有速度
30
mA
自动CE
V
DD
=最大，设备选中，或者所有的速度
掉电
V
IN
≤
0.3V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
– 0.3V
目前， CMOS输入端F = F
最大
= 1/t
CYC
自动CE
掉电
目前-TTL输入
V
DD
=最大，设备选中，
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = 0
所有速度
50
mA
40
mA
阴影区域包含预览。
注意事项：
13.过冲： V
IH
交流（AC） ＆ LT ; V
DD
+ 1.5V （脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ） ，下冲： V
IL
交流（AC） > -2V （脉冲宽度小于吨
CYC
/2).
14. T
上电
：假设一个线性斜坡从0V到V
DD
（分钟）内200毫秒。在这段时间V
IH
＆ LT ; V
DD
和V
DDQ
＆ LT ; V
DD
.
文件编号： 38-05291牧师* C
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