CY7C1354C

CY7C1356C

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文档标题： CY7C1354C / CY7C1356C 9兆位（ 256K ×36 / 512K ×18 ）流水线式SRAM与NOBL 架构

文件编号： 38-05538

启示录

**

*A

ECN号

242032

278130

发行日期

见ECN

见ECN

原稿。的

变化

RKF

RKF

新的数据表

变边界扫描顺序来匹配这些设备的乙启

改变TQFP PKG无铅TQFP封装的订购信息节

无铅BG和BZ包的可用性添加评论

改变了ISB1和ISB3从DC特性表如下

ISB1 225毫安> 130毫安， 200 MHz的-> 120毫安， 167 MHz的-> 110毫安

ISB3 ： 225兆赫-> 120毫安， 200 MHz的-> 110毫安， 167 MHz的->百毫安

BG和BZ PKG无铅部件编号添加到订货信息部分

改为225 MHz至250 MHz的

地址扩展针脚/球在引脚的所有包被修改

根据JEDEC标准

250 ， 200 ， 166 MHz的交流/直流表和选择无阴影频率

指南

变

Θ

JA

和

Θ

JC

从25日和9 TQFP封装

° C / W

以29.41和

6.13

° C / W

分别

变

Θ

JA

和

Θ

JC

针对BGA封装25和6

° C / W

34.1和

14.0

° C / W

分别

变

Θ

JA

和

Θ

JC

为FBGA封装27和6

° C / W

1680和

3.0

° C / W

分别

修改V

OL ，

V

OH

测试条件

增加了无铅产品信息

更新订购信息表

从初步改为决赛

改变了我

SB2

从35到40毫安

更新订购信息表

从V在笔记＃ 15修改的测试条件

DDQ

＆ LT ; V

DD

到V

DDQ

≤

V

DD

赛普拉斯半导体公司对页当前第1更改的地址

“ 3901北一街”到“ 198冠军苑”

改变三态为三态。

修改“输入加载”到“输入漏电流除ZZ和模式”

电气特性表。

与包图中的订购替换包名称列

信息表。

添加的最大额定电源电压的V

DDQ

相对于GND

改变的吨

TH

, t

TL

从25 ns至20 ns的和T

TDOV

从5 ns至10 ns的TAP

AC开关特性表。

更新了订购信息表。

变化的说明

*B

284431

见ECN

VBL

*C

320834

见ECN

PCI

*D

*E

*F

351895

377095

408298

见ECN

见ECN

见ECN

PCI

PCI

RXU

*G

501793

见ECN

VKN

文件编号： 38-05538牧师* G

第28页28

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