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CY7C1329H
真值表
[2, 3, 4, 5, 6, 7]
下一个周期
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ZZ “睡眠”
添加。二手
无
无
无
无
无
外
外
NEXT
NEXT
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当前
当前
当前
当前
当前
当前
外
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当前
当前
无
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NEXT
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NEXT
当前
当前
当前
当前
当前
X
H
H
X
H
X
X
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
X
H
X
H
H
X
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
H
L
H
X
X
L
H
L
H
X
添加。二手
无
无
无
无
无
无
外
外
外
外
外
NEXT
CE
1
H
L
L
L
L
X
L
L
L
L
L
X
CE
2
X
L
X
L
X
X
H
H
H
H
H
X
CE
3
X
X
H
X
H
X
L
L
L
L
L
X
ZZ
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
ADSP
X
L
L
H
H
X
L
L
H
H
H
H
ADSC
L
X
X
L
L
X
X
X
L
L
L
H
ADV
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
写
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
OE
X
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
L
真值表进行读/写
[2, 3]
功能
读
读
写字节A - DQ
A
写字节B - DQ
B
写字节B，A
写字节 - DQ
C
写字节C，A
写字节C，B
写字节C， B，A
写字节 - DQ
D
GW
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BWE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW
D
X
H
H
H
H
H
H
H
H
L
BW
C
X
H
H
H
H
L
L
L
L
H
BW
B
X
H
H
L
L
H
H
L
L
H
BW
A
X
H
L
H
L
H
L
H
L
H
注意事项：
2. X = “不在乎。 ”H =逻辑高电平，L =逻辑低电平。
3.写= L时，任何一个或多个字节写使能信号（ BW
A
， BW
B
， BW
C
， BW
D
）和BWE = L或GW = L WRITE = H ，当所有字节写使能信号
（ BW
A
， BW
B
， BW
C
， BW
D
） ， BWE ， GW = H。
4. DQ管脚由当前周期和所述参考信号的控制。 OE是异步的，并且不采样的时钟。
5. CE
1
，CE
2
和CE
3
只适用于TQFP封装。
6. SRAM总是启动时ADSP是断言一个读周期，无论GW ， BWE ，或BW的状态
[A ：D ]
。写只能在下一时钟发生
在ADSP后或ADSC的说法。其结果是，参考必须的写周期开始，以使输出为三态之前，驱动为高电平。 OE是一个
不喜欢的写周期的剩余部分。
7. OE是异步的，并且不采样与时钟的上升。它是在写周期内屏蔽。在读周期中的所有数据位为三态时， OE
处于非活动状态，或当装置被取消，并且所有的数据位表现为输出时OE为有效（低电平） 。
文件编号： 38-05673牧师* B
第16页6
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