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CY7C1327G
文档历史记录页
文档标题： CY7C1327G 4兆位（ 256K ×18 ）流水线同步SRAM
文件编号： 38-05519
启示录
**
*A
*B
ECN号
224367
278513
332895
发行日期
见ECN
见ECN
见ECN
原稿。的
变化
RKF
VBL
SYT
新的数据表
在定购信息部分， TQFP改变为无铅TQFP
新增无铅封装BG
修改后的地址管脚球扩大为100 TQFP和BGA 119
包按照JEDEC标准和更新的引脚定义
从而
修改V
OL ，
V
OH
测试条件
除去225 MHz和100 MHz的速度等级
更换TBD的对
Θ
JA
和
Θ
JC
上的热各自的值
电阻表
对BG无铅封装的可用性移除评论
更新的底纹和Unshading MPNS的订购信息按
供货情况
更新订购信息表
加V
DD
/V
DDQ
在DC表测试条件
从V在笔记＃ 8修改的测试条件
IH
＆ LT ; V
DD
到V
IH
＆ LT ;
V
DD
从初步转化为最终
赛普拉斯半导体公司对页当前第1更改的地址
“ 3901北一街”到“ 198冠军苑”
修改“输入加载”到“输入漏电流除ZZ和MODE ”的
电气特性表
与包图中的订购替换包名称列
信息表
取代51-85050包图从* A到* B
更新了订购信息
添加的最大额定电源电压的V
DDQ
相对于GND 。
更新了订购信息表。
变化的说明
*C
*D
*E
351194
366728
419256
见ECN
见ECN
见ECN
PCI
PCI
RXU
*F
480124
见ECN
VKN
文件编号： 38-05519牧师* F
第18页18
