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CY7C1326H
真值表
[2, 3, 4, 5, 6, 7]
下一个周期
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CE
1
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X
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X
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2
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X
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X
X
X
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X
X
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CE
3
X
H
X
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X
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ADSP
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X
X
ADSC
L
X
X
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OE
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DQ
三州
三州
三州
三州
三州
三州
三州
三州
DQ
三州
DQ
三州
DQ
三州
DQ
三州
三州
三州
三州
三州
三州
三州
三州
X
X
X
X
X
X
X
真值表进行读/写
[2, 3]
功能
写字节一个 - ( DQ
A
和DQP
A
)
写字节B - ( DQ
B
和DQP
B
)
写字节B,A
写的所有字节
写的所有字节
GW
H
H
H
H
H
H
L
BWE
H
L
L
L
L
L
X
BW
B
X
H
H
L
L
L
X
BW
A
X
H
L
H
L
L
X
注意事项:
2. X = “不在乎。 ”H =逻辑高电平,L =逻辑低电平。
3.写= L时,任何一个或多个字节写使能信号( BW
A
, BW
B
)和BWE = L或GW = L WRITE = H ,当所有字节写使能信号( BW
A
, BW
B
),
BWE , GW = H。
4. DQ管脚由当前周期和所述参考信号的控制。 OE是异步的,并且不采样的时钟。
5. CE
1
,CE
2
和CE
3
只适用于TQFP封装。 BGA封装只有2片选CE
1
和CE
2
.
6. SRAM总是启动时ADSP是断言一个读周期,无论GW , BWE ,或BW的状态
[A : B]
。写只能在下一时钟发生
在ADSP后或ADSC的说法。其结果是,参考必须的写周期开始,以使输出为三态之前,驱动为高电平。 OE是一个
不喜欢的写周期的剩余部分
7. OE是异步的,并且不采样与时钟的上升。它是在写周期内屏蔽。在读周期中的所有数据位为三态时, OE
处于非活动状态,或当装置被取消,并且所有的数据位表现为输出时OE为有效(低电平) 。
文件编号: 38-05675牧师* B
第15 6
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