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CY7C1316BV18
CY7C1916BV18
CY7C1318BV18
CY7C1320BV18
应用实例
[1]
DQ
A
ZQ
CQ / CQ #
LD # R / W # C C #k中K#
SRAM#1
R
= 250Ohms
DQ
A
ZQ
CQ / CQ #
LD # R / W # C C #k中K#
SRAM#2
R = 250ohms
DQ
地址
循环启动#
R / W #
返回CLK
来源CLK
返回CLK #
来源CLK #
回波时钟1 /回波时钟# 1
回波时钟2 /回波时钟# 2
公共汽车
(中央处理器
or
ASIC )
VTERM = 0.75V
R = 50欧姆
VTERM = 0.75V
真值表
[2, 3, 4, 5, 6, 7]
手术
写周期:
加载地址;等待一个周期;连续输入写入数据
K和K上升沿。
读周期:
加载地址;等待一个半周期;读取数据
连续的C和C上升沿。
NOP :空操作
待机:停止的时钟
K
L-H
LD
L
读/写
L
DQ
DQ
D( A1),在K( T + 1)
D( A2),在K( T + 1)
L-H
L
H
Q( A 1 )中C ( T + 1) ↑ Q( A2),在C(吨+ 2)的
L-H
停止
H
X
X
X
高-Z
以前的状态
高-Z
以前的状态
突发地址表
( CY7C1318BV18 , CY7C1320BV18 )
第一个地址(外部)
X..X0
X..X1
第二个地址(内部)
X..X1
X..X0
注意事项:
1.上述应用程序显示了两个DDR- II使用。
2. X = “无需关注”,H =逻辑高电平,L =逻辑低电平,
代表上升沿。
3.设备将开机了取消和输出的三态状态。
4.在CY7C1318BV18和CY7C1320BV18 , “A1 ”表示器件锁存地址的位置,当交易发起和A2代表地址
序列中的爆裂。在CY7C1316BV18 , “A1”表示A +' 0 '和A2表示A +' 1 ' 。
5. “ t”表示在其开始读/写操作的周期。吨+ 1和t + 2分别是第一和第二时钟周期后续的“t”的时钟周期。
6.数据输入被登记在K和K上升沿。数据输出交付的C和C上升沿,除了在单时钟模式下。
7.建议,K = K和C = C =高时的时钟被停止。这不是必须的,但可以实现最快的重启通过克服传输线
充电对称。
文件编号: 38-05621牧师* C
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