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CY7C1020B
32K ×16静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12，15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 825毫瓦（最大）
CMOS低待机功耗
- 16.5毫瓦（最大）
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
提供无铅和无无铅44引脚TSOP II
和44引脚（ 400 mil）的SOJ包装
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
14
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
14
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1020B是标准的44引脚TSOP II型可
和44引脚400密耳宽SOJ封装。
功能说明
该CY7C1020B是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为32,768字。此装置具有一
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
逻辑框图
数据驱动因素
引脚配置
SOJ / TSOP II引脚
顶视图
NC
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
4
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
32K ×16
RAM阵列
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
选购指南
CY7C1020B-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
12
140
3
CY7C1020B-15
15
130
3
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05171牧师* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年5月26日
[+ ]反馈
