A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... .............................................. 58
DQ6 ：切换位I ............................................. .................................................. 58
图7.切换位算法............................................ .. 60
DQ2 ：触发位II ............................................. ................................................. 60
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 60
DQ5 ：超过时序限制............................................. ........................... 61
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .................................... 61
表14.写操作状态......................................... 62
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81
交流特性和工作条件。 82
AC测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84
读时序........................................................................................................84
图24.读周期............................................. ........... 84
图25.页读周期（ 8个字访问） ....................... 85
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63
图8.最大过冲波形............................. 63
写时序......................................................................................................86
图26.写周期＃ 1 （ WE＃控制） （见注8 ） ....... 86
图27.写周期＃ 2 （ CE ＃控制） （见注8 ） ....... 87
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.64
工业级（I ）设备............................................. ............................................ 64
扩展（ E）设备............................................. ........................................... 64
电源电压................................................ .................................................. 。 64
深度掉电时序............................................. ................................. 87
图28.深度掉电时序.................................... 87
上电时序.............................................. .................................................. 87
图29.上电时序........................................... ..... 87
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.65
表15. CMOS兼容............................................. ... 65
地址偏移的规定.............................................. .............................. 88
读....................................................................................................................88
图30.读.............................................. ................... 88
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.66
测试条件................................................ .................................................. 66
图9.测试设置............................................. ............ 66
表16.测试规范............................................. .. 66
写..................................................................................................................88
图31.写.............................................. .................. 88
开关波形................................................ ....................................... 66
表17.钥匙开关波形................................. 66
图10.输入波形和测量水平............. 67
PSRAM类型1
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90
时序测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 95
输出负载电路............................................... ........................................... 96
图32.输出负载电路............................................ 。 96
VCC变化斜率...................................................................................................67
读操作................................................ ................................................. 67
表18.只读操作.......................................... 67
图11.读操作时序....................................... 68
图12.页读操作时序............................... 68
RESET ...................................................................................................................... 69
表19.硬件复位（ RESET ＃ ） .................................... 69
图13.复位时序............................................. ........ 69
擦除/编程操作.............................................. ............................... 70
表20.擦除和编程操作.............................. 70
上电顺序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 96
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
读周期.......................................................................................................... 108
图33.时序读周期
（ CE ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = ZZ ＃ = V
IH
) .............................. 108
图34.时序读周期的波形
（ WE＃ = ZZ ＃ = V
IH
)......................................................... 109
的页面模式读取周期图35.时序波形
（ WE＃ = ZZ ＃ = V
IH
)......................................................... 110
图36.定时写周期的波形
（ WE＃控制， ZZ ＃ = V
IH
)................................................ 111
图37.定时写周期的波形
（ CE ＃控制， ZZ ＃ = V
IH
)................................................. 111
的页面模式写周期图38.时序波形
（ ZZ ＃ = V
IH
) ................................................................... 112
时序图...................................................................................................71
图14.编程操作时序.................................. 71
图15.加速程序时序图.................... 71
图16.芯片/扇区擦除操作时序..................... 72
图17.返回到后端的读/写周期时序................. 73
图18.数据＃投票计时
（在嵌入式算法） ............................................ 73
图19.触发位计时（在嵌入式算法） .. 74
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ........... 74
写周期...........................................................................................................111
保护/取消保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75
表21.临时机构撤消................................. 75
图21.临时机构撤消时序图.......... 75
图22.行业/部门块保护和撤消时序
图................................................. ........................... 76
控制擦除操作............................................... ........................... 77
表22.备用CE ＃控制擦除和
方案业务................................................ ........... 77
表23.备用CE ＃控制的写入（擦除/编程）
操作时序................................................ ............. 78
表24. ＃ CE1 / CE2 ＃时序......................................... .... 78
图23.时序图交替之间＃ CE1和CE2 ＃
控制................................................. ............................ 79
表25.擦除和编程性能.................... 79
部分阵列自刷新（PAR） ........................................... ......................... 112
温度补偿刷新（为64兆） ..................................... 113
深度睡眠模式............................................... ................................................ 113
降低内存大小（对于32M和16M ） ......................................... ......... 113
其他的模式寄存器设置（ 64M ） .......................................... .......... 113
BGA引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79
图39.模式寄存器............................................. ..... 114
图40.模式寄存器更新时序（ UB ＃ ， LB ＃ ， OE ＃是
不关心） ............................................. ........................ 114
图41.深度睡眠模式 - 进入/退出时序（对于64M ） ... 115
图42.深度睡眠模式 - 进入/退出时序
（对于32M和16M ） ............................................ ............... 115
PSRAM类型6
特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81
4
2型PSRAM
特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 119
产品信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 119
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120
上电顺序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120
2005年S71PL129Jxx_00_A8 10月28日，
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
