CD54HC75 ， CD74HC75 ， CD54HCT75 ， CD74HCT75
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
- 0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
4
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
40
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
80
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
（注2 ）
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
D0, D1
1E, 2E
单位负载
0.8
1.2
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表，例如， 360μA最大值在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
脉宽使能输入
t
W
-
2
4.5
6
建立时间d启用
t
SU
-
2
4.5
6
80
16
14
60
12
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
75
15
13
-
-
-
-
-
-
120
24
20
90
18
15
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
