SN54ABT373 ， SN74ABT373
八路透明D类锁存器
具有三态输出
SCBS155D - 1991年1月 - 修订1997年5月
D
D
D
D
D
国家的最先进的
EPIC-
ΙΙ
B
BiCMOS工艺设计
显著降低了功耗
闭锁性能超过500 mA每
JEDEC标准JESD -17
典型的V
OLP
（输出地弹跳） < 1 V
在V
CC
= 5 V ，T
A
= 25°C
高驱动输出（ -32 mA的我
OH
64 mA的我
OL
)
封装选择包括塑料
小外形（ DW ） ，收缩型小外形
（ DB ） ，以及超薄紧缩小外形（ PW ）
封装，陶瓷芯片载体（ FK ）
陶瓷平板（W ）封装和塑料（ N）
与陶瓷（J ）下降
SN54ABT373 。 。 。 J或W包装
SN74ABT373 。 。 。 DB ， DW ， N，或PW包装
（ TOP VIEW ）
OE
1Q
1D
2D
2Q
3Q
3D
4D
4Q
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
8Q
8D
7D
7Q
6Q
6D
5D
5Q
LE
描述
八个锁存器中的' ABT373是透明
D型锁存器。而锁存使能（ LE）的输入
为高时， Q输出按照数据（D）输入端。
当LE为低电平时， Q输出锁存
在逻辑电平设置在D输入端。
缓冲的输出使能（ OE ）输入可用于
放置八个输出中任一个正常的逻辑
状态（高或低逻辑电平）或
高阻抗状态。在高阻抗
状态时，输出既不负荷也不驱动总线
线显著。高阻抗状态，
提高驱动器提供驱动总线的能力
行，而不需要对接口或拉
组件。
SN54ABT373 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
1D
1Q
OE
V
CC
2D
2Q
3Q
3D
4D
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
8Q
8D
7D
7Q
6Q
6D
OE不影响锁存器的内部操作。旧的数据可以被保留或新的数据可被输入
而输出处于高阻抗状态。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
该SN54ABT373的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。该
SN74ABT373的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
功能表
（每个锁存器）
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
Q0
Z
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EPIC - ΙΙB是德州仪器的商标。
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所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
4Q
GND
LE
5Q
5D
1
