位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第471页 > SN74CBT16811CDLRG4 > SN74CBT16811CDLRG4 PDF资料 > SN74CBT16811CDLRG4 PDF资料1第1页
SN74CBT16811C
具有预充电输出24位FET总线开关
与2 V冲保护的5 V BUS开关
SCDS118C - 2003年1月 - 修订2003年10月
D
德州仪器会员
D
D
Widebus家庭
冲保护的关断隔离
A和B端口最多-2 V
B端口输出被偏置预充电
电压（ BIASV ），以最大限度地减少信号
失真在实时插入和
热插拔
支持PCI热插拔
双向数据流，接近零
传播延迟
低通态电阻（R
on
)
特性（R
on
= 3
典型）
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 5.5 pF的典型）
数据和控制输入提供
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 3
A
MAX ）
V
CC
经营范围为4 V至5.5 V
数据I / O的支持0 5 V信号电平
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用范围： PCI接口，存储器
交织，总线隔离，低失真
信号门
DGG ， DGV ，或DL包装
（ TOP VIEW ）
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
BiasV
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
1A11
1A12
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
2A11
2A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
1B11
1B12
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
2B11
2B12
D
描述/订购信息
该SN74CBT16811C是具有低通态电阻（R高速TTL兼容的FET总线开关
on
),
允许最小的传播延迟。主动冲保护电路上的A和B端口
SN74CBT16811C通过检测的冲事件，并确保提供保护冲至-2 V
该开关保持在适当的断开状态。该设备还预充电B端口到一个用户可选择的偏压
电压（ BIASV ） ，以尽量减少带电插入的噪音。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
