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SN74CBT6845C
具有预充电输出的8位FET总线开关
与2 V冲保护的5 V BUS开关
SCDS140 - 2003年10月
D
冲保护的关断隔离
D
A和B端口最多-2 V
B端口输出被偏置预充电
电压( BIASV ),以最大限度地减少信号
失真在实时插入和
热插拔
支持PCI热插拔
双向数据流,接近零
传播延迟
低通态电阻(R
on
)
特性(R
on
= 3
典型)
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的(OFF)的
= 5.5 pF的典型)
数据和控制输入提供
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 3
A
MAX )
DB , DBQ , DGV , DW ,或PW包装
( TOP VIEW )
D
V
CC
经营范围为4 V至5.5 V
D
数据I / O的支持0 5 V信号电平
D
D
D
D
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
同时支持数字和模拟
应用范围: PCI接口,存储器
交织,总线隔离,低失真
信号门
D
D
D
D
D
D
D
RGY包装
( TOP VIEW )
BiasV
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
2
3
4
5
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7
8
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15
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OE
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17
B2
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A2
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描述/订购信息
该SN74CBT6845C是具有低通态电阻(R高速TTL兼容的FET总线开关
on
),
允许最小的传播延迟。主动冲保护电路上的A和B端口
SN74CBT6845C通过检测的冲事件,并确保提供保护冲至-2 V
该开关保持在适当的断开状态。该设备还预充电B端口到一个用户可选择的偏压
电压( BIASV ) ,以尽量减少带电插入的噪音。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
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