IPD64CN10N摹
IPU64CN10N摹
9漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=17 A;
V
GS
=10 V
10典型。栅极阈值电压
V
GS （ TH）
= F （T
j
);
V
GS
=V
DS
参数：
I
D
150
4
3.5
200 A
3
100
20 A
R
DS （ ON）
[m
]
2.5
98 %
V
GS （ TH）
[V]
典型值
2
50
1.5
1
0.5
0
-60
-20
20
60
100
140
180
0
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
T
j
[°C]
11典型。电容
C
= F（V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
= 1兆赫
反向二极管的正向12特征
I
F
= F（V
SD
)
参数：
T
j
10
4
100
25 °C
175 °C, 98%
10
3
西塞
科斯
175 °C
10
25 °C, 98%
C
[ pF的]
10
2
I
F
[A]
CRSS
1
10
1
10
0
0
20
40
60
80
0.1
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
[V]
V
SD
[V]
修订版1.01
第6页
2006-02-21
