NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P2804BVG
SOP-8
LEAD -FREE
D
产品概述
V
（ BR ） DSS
40V
R
DS （ ON）
28mΩ
I
D
7.5A
4
：门
5,6,7,8 ：排水
1,2,3 ： SOURCE
G
S
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有
参数/测试条件
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
工作结&存储温度范围
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒。 ）
热电阻额定值
热阻
结到环境
1
2
说明）
符号
V
DS
V
GS
范围
40
±20
7.5
6.5
20
2.5
1.3
-55到150
275
°C
W
A
单位
V
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
典型
最大
50
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1％
电气特性（T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
漏极 - 源极导通状态
阻力
1
正向跨导
1
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125 °C
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.5A
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.5A
V
DS
= 10V ，我
D
= 7.5A
20
30
21
19
42
28
40
1
1.5
2.5
±250
1
10
nA
A
A
mΩ
S
V
范围
单位
最小典型最大
1
SEP-30-2004
