双芯片SIDACtor器件
+I
I
PP
- 峰值脉冲电流 - ％I
PP
t
r
=上升时间峰值
t
d
=衰减时间价值的一半
I
T
I
S
I
H
I
DRM
-V
V
T
V
DRM
V
S
+V
100
PEAK
价值
波形= T
r
x深
d
50
半值
0
0
t
r
t
d
吨 - 时间（μs ）
-I
的V-I特性
t
r
x深
d
脉冲波形
V的百分比
S
CHANGE - ％
10
I
H
(T
C
= 25 C)
14
12
8
6
4
2
0
-4
-6
-8
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
H
25 C
25 C
比
外壳温度（T
C
) – C
结温（T
J
) – C
归V
S
改变与结温
归DC控股电流与外壳温度
电信设计指南 2006年的Littelfuse
3 - 47
www.littelfuse.com
SIDACtor装置
