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ILD621/ILD621GB/ILQ621/ILQ621GB
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出
（双通道，四通道）
特点
双通道
备用电源
TLP621GB-2/-4
A 1
C 2
A 3
C
4
8 C
7 E
6 C
5 E
to
TLP621-2/-4
和
高集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
= 70 V
双核和四包的特点：
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
隔离测试电压， 5300 V
RMS
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
四通道
A
1
C
2
A
3
C
A
C
4
5
6
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
FIMKO
A
7
C
8
i179054
描述
在ILD621 / ILQ621和ILD621GB / ILQ621GB是
使用砷化镓多通道光电晶体管的光电耦合器
IRLED发射器和高增益的NPN硅光电晶体管。
这些设备的构造采用双成型
保温技术。这个组装过程提供
承受7500伏的测试电压。
在ILD621 / ILQ621GB非常适合的CMOS接口
给出的CTR
CESAT
30 ％，最低为我的
F
为1.0mA 。高
获得线性操作由CTR最小保证
CE
of
100 ％在5.0毫安。该ILD / Q621已经保证CTR
CE
50 ％，最低为5.0毫安。透明的离子护罩保证
在应用中，如电源稳定的直流增益
反馈电路，在恒定的直流V
IO
电压
目前。
订购信息
部分
ILD621
ILD621GB
ILQ621
ILQ621GB
ILD621-X006
备注
CTR > 50 ％ ，双， DIP- 8
CTR
＆ GT ;
100 ％ ，双， DIP- 8
CTR > 50 ％ ，四， DIP- 16
CTR
＆ GT ;
100 ％ ，四， DIP- 16
CTR
＆ GT ;
50 ％ ，双， DIP - 8 400万
文档编号： 83654
修订版1.5 ， 20日-12月07
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
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