ILD1205T/1206T/1207T
威世半导体
集电极到发射极漏电流
ICE0 （ nA的）
10000
1000
1.2
1.1
1.0
I
F
= 10毫安
归
CTR
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 40
V
V
CE
= 24
V
V
CE
= 12
V
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
- 55 - 40 - 25 - 10 5 20 35 50 65
80
95 110 125
I
F
= 5毫安
I
F
= 1毫安
归
到我
F
= 10毫安
T
AMB
= 25 °C
- 55 - 40 - 25 - 10 5 20 35 50 65
80
95 110 125
T
AMB
(°C)
图5.集电极到发射极漏电流 -
环境温度
T
AMB
(°C)
标准化的点击率与环境温度
（非饱和，V
CE
= 5 V)
1000
20
18
集电极电流（毫安）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.1
IF = 25毫安
截止频率FCTR （ kHz）的
ILD1205,6
+ 25 °C + 50 °C
0 °C
100
IF = 10毫安
10
V
CE
= 5
V,
T
AMB
= 25 °C
1
0.1
IF = 5毫安
IF = 2毫安
IF = 1毫安
0.2
0.3
0.4
0.5
1.0
10.0
100.0
V
CE
(V)
图6. V
CE
与我
C
（饱和）
IC （MA ）
图8.截止频率（ - 3 dB为单位）与集电极电流
1.2
1.1
1.0
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
1000
归
CTR
t
on
, t
关闭
（微秒）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
100
t
关闭
I
F
= 1毫安
10
归
到我
F
= 10毫安
T
AMB
= 25 °C
1
0.1
1
t
on
10
100
- 55 - 40 - 25 - 10 5 20 35 50 65
80
95 110 125
T
AMB
(°C)
图7.归CTR主场迎战
环境温度（饱和，V
CE
= 0.4 V)
负载阻值（kΩ ）
图9吨
on
, t
关闭
和负载电阻（ 100
Ω
20000
Ω)
文档编号83599
修订版1.9 ， 20 -APR- 07
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