MAC08BT1 ， MAC08MT1
首选设备
敏感的双向可控硅门
硅双向晶闸管
专为固态继电器， MPU接口， TTL逻辑和使用
等轻工或消费类应用。供给面
安装包的自动化生产中使用。
特点
http://onsemi.com
敏感的门极触发电流中的四种触发方式
阻断电压为600伏
玻璃表面钝化的可靠性和一致性
表面贴装封装
无铅包可用
TRIAC
0.8安培RMS
200通600伏
MT2
G
MT1
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
（正弦波， 50到60赫兹，门打开，
T
J
- 25
110°C)
MAC08BT1
MAC08MT1
通态电流有效值（T
C
= 80°C)
（全正弦波50到60赫兹）
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期的正弦波， 60赫兹，
T
C
= 25°C)
电路熔断注意事项
（脉冲宽度= 8.3毫秒）
峰值功率门
(T
C
= 80 ° C，脉冲宽度
v
1.0
女士）
平均功耗门
(T
C
= 80℃， t为8.3毫秒）
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
200
600
I
T（ RMS ）
I
TSM
0.8
8.0
A
A
价值
单位
V
SOT223
CASE 318E
风格11
1
A
Y
W
AC08X
=
=
=
=
记号
图
4
AYW
AC08x
G
G
2
3
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
T
J
T
英镑
0.4
5.0
0.1
-40到+110
-40到+150
A
2
s
W
W
大会地点
YEAR
工作周
器件代码
X = B或M
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚分配
°C
°C
1
2
3
4
主终端1
主终端2
门
主终端2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
订购信息
设备
MAC08BT1
包
SOT223
SOT223
（无铅）
SOT223
SOT223
（无铅）
航运
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
热特性
特征
热阻，结到环境
PCB按图1安装
热阻，结到标签
测量MT2标签毗邻环氧
最大器件温度为
焊接目的，持续10秒最大
符号
R
qJA
R
QJT
T
L
最大
156
25
260
单位
° C / W
° C / W
°C
MAC08BT1G
MAC08MT1
MAC08MT1G
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 修订版5
出版订单号：
MAC08BT1/D
