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射频功率场效应晶体管
LDMOS ， 1990至25年兆赫， 30W ， 26V
10/31/03
初步
MAPLST1900-030CF
特点
设计用于在PHS应用
一八九〇年至1925年兆赫频段。
典型的表现在PHS模式，
-68 dBc的ACPR （ 600kHz的） ：
平均输出功率： 8W
增益： 13分贝（典型值）。
效率： 26 ％ （典型值）。
10 ： 1 VSWR坚固的8W ， 26V ，
1890MHz)
包装样式
MAPLST1900-030CF
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25 °C
储存温度
结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
等级
65
20
97
-40到+150
+200
单位
V
dc
V
dc
W
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
Θ
JC
最大
1.8
单位
摄氏度/ W
注意 - 注意 - MOS器件很容易受到来自静电损坏。在处理和包装的预防措施
MOS器件应观察。
